微型AlGaInP-LED阵列器件及全色集成技术研究
发布时间：2021-08-10 00:36
LED作为新一代显示照明光源,现已成为交通显示、会议投影、医疗照明、军事通信等领域的关键核心器件。随着微投影、微显示等概念的提出,科研人员的研究目光由大尺寸器件制作逐渐向微小型靠拢。近年来,LED器件阵列化、微型化的制备技术已经成为国内外众多科研团队的研究对象。同时,随着应用需求的不断升级,在AR、VR显示器、LCD背光源、全天候交通显示屏、LIFI光源等方面具有广阔应用前景的全色微型LED阵列器件受到越来越多的关注。目前,全色微型LED阵列正逐步向发光像素单元小、密度高的方向发展。柔性全色微型LED阵列不仅具有平面微型LED阵列的基本特点,而且可任意弯曲,进一步扩展了全色微型LED阵列的应用范围。本论文针对微型AlGaInP-LED阵列器件的电、光及热学性能开展研究,通过改进制备工艺方案,优化阵列器件结构参数,提高阵列器件的发光性能。然后,对全色柔性微型LED微阵列进行了实验研究,提出了全色微型LED阵列器件制作工艺流程并验证了工艺的可行性。本论文的研究工作主要分为以下四部分:（1）LED器件电、光及热学性能研究。首先,将像素单元分割成若干子像素,采用有限元计算分析了像素分割对LED...
【文章来源】：中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所)吉林省
【文章页数】：141 页
【学位级别】：博士
【部分图文】：
可见光LED器件的发展历程
Figure 1.2 The development of visible LED devices列器件研究现状器件是指在同一基底上集成的微尺寸，超高密度 L领域较为广泛，如军事侦察、生活娱乐、生命细胞国内外众多科研团队开展对微型 LED 阵列器件研究ED 阵列器件主要发展历程及研究现状：LED 阵列器件研究现状阵列器件斯州立大学物理系 Jin 等(2000)对带有微型圆盘结果表明，这种新型结构下的 LED 内量子效率较大尺
图 1.4 H. X. Jiang 制备的 InGaN/GaN QWs 微型显示器Figure 1.4 InGaN/GaN QWs micro display fabricated by H. X. Jiang et al.拉斯克莱德大学 Choi 等(2004)提出一种制作高集成 LED 微阵列的采用 ICP 刻蚀方法对 GaN 基外延片进行分割，同时保证刻蚀沟槽面具有良好的电学导通特性。图 1.5(a)为 ICP 刻蚀沟道扫描电镜图面通过设定不同刻蚀速率，沟道坡度将发生改变。图 5(b)为阵列器，发光像素直径为 20μm，图 1.5(c)(d)分别为芯片阵列及具有 128×像素单元的微平面显示器。
本文编号：3333095
【文章来源】：中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所)吉林省
【文章页数】：141 页
【学位级别】：博士
【部分图文】：
可见光LED器件的发展历程
Figure 1.2 The development of visible LED devices列器件研究现状器件是指在同一基底上集成的微尺寸，超高密度 L领域较为广泛，如军事侦察、生活娱乐、生命细胞国内外众多科研团队开展对微型 LED 阵列器件研究ED 阵列器件主要发展历程及研究现状：LED 阵列器件研究现状阵列器件斯州立大学物理系 Jin 等(2000)对带有微型圆盘结果表明，这种新型结构下的 LED 内量子效率较大尺
图 1.4 H. X. Jiang 制备的 InGaN/GaN QWs 微型显示器Figure 1.4 InGaN/GaN QWs micro display fabricated by H. X. Jiang et al.拉斯克莱德大学 Choi 等(2004)提出一种制作高集成 LED 微阵列的采用 ICP 刻蚀方法对 GaN 基外延片进行分割，同时保证刻蚀沟槽面具有良好的电学导通特性。图 1.5(a)为 ICP 刻蚀沟道扫描电镜图面通过设定不同刻蚀速率，沟道坡度将发生改变。图 5(b)为阵列器，发光像素直径为 20μm，图 1.5(c)(d)分别为芯片阵列及具有 128×像素单元的微平面显示器。
本文编号：3333095
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