Sb 2 E 3 （E=S,Se）纳米半导体材料的制备及光电性能研究
发布时间：2021-08-15 21:56
Ⅴ2-Ⅵ3（Ⅴ=Sb,Bi;Ⅵ=S,Se,Te）半导体材料由于其低毒、环保以及优越的热电、光电等特性,受到越来越多的关注和研究。作为典型代表,Sb2S3是一种具有层状结构的直接带隙半导体（Eg=1.78 eV）,通常低温合成下为非晶态,高温时以正交晶系结晶生长。因其合适的带隙宽度、大的吸收系数、高的电子迁移率、良好的光电导性、光伏特性,Sb2S3基材料是诸多光电器件中广泛研究的一类材料。当前,在此类材料制备、尺寸/形貌调控、材料表面修饰及光电性能增强等方面仍然存在很多待解决的问题。本文以Sb2S3为主要研究对象,开展了以下研究工作:1.研究了非晶Sb2S3（a-Sb2S3）胶体的合成及界面N-Sb非键作用增强聚乙烯吡咯烷酮（PVP）包覆Sb2S3非晶胶体的光电性...
【文章来源】：江苏大学江苏省
【文章页数】：93 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
金属、半导体和绝缘体的不同电子能带结构的比较
对较窄的能量范围内，形成能带。由具有价电子并且如果原始每个电子态有两个电子则被完全子态只有一个电子则占据一半。由最低未占据的，因为当电子被引入其中时，它主要负责电子 1.1 金属、半导体和绝缘体的不同电子能带结构的比arison of different electronic band structures of metals, sinsulators
江苏大学硕士学位论文尺寸减小，能级间距增加，这被称为量米粒子最显着的特征之一是由于量子，CdS 的玻尔半径小于或等于 2.4nm 的于体积的光学吸收的显著蓝移所表明 1.3 所示，CdSe 纳米粒子的电子吸收。半导体纳米材料的禁带宽度相对于块的关系可以用公式 1.2 来表示： 1.786 2 有效质量,mh为空穴的有效质量, 为
【参考文献】：
期刊论文
[1]回流法合成硫化锑纳米棒及其光催化性能研究[J]. 雍高兵,朱启安,项尚,陈利霞,谭志刚,徐军古. 化学学报. 2010(21)
[2]Photoluminescence properties of LaF3:Eu3+ nanoparticles prepared by refluxing method[J]. 王振领,李敏,王畅,常加忠,石恒真,林君. Journal of Rare Earths. 2009(01)
[3]回流法制备纳米氧化铁的研究[J]. 钟红梅,杨延钊,张卫民,李雪梅,杨永会,徐显刚,孙思修. 山东大学学报(理学版). 2002(02)
本文编号：3345004
【文章来源】：江苏大学江苏省
【文章页数】：93 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
金属、半导体和绝缘体的不同电子能带结构的比较
对较窄的能量范围内，形成能带。由具有价电子并且如果原始每个电子态有两个电子则被完全子态只有一个电子则占据一半。由最低未占据的，因为当电子被引入其中时，它主要负责电子 1.1 金属、半导体和绝缘体的不同电子能带结构的比arison of different electronic band structures of metals, sinsulators
江苏大学硕士学位论文尺寸减小，能级间距增加，这被称为量米粒子最显着的特征之一是由于量子，CdS 的玻尔半径小于或等于 2.4nm 的于体积的光学吸收的显著蓝移所表明 1.3 所示，CdSe 纳米粒子的电子吸收。半导体纳米材料的禁带宽度相对于块的关系可以用公式 1.2 来表示： 1.786 2 有效质量,mh为空穴的有效质量, 为
【参考文献】：
期刊论文
[1]回流法合成硫化锑纳米棒及其光催化性能研究[J]. 雍高兵,朱启安,项尚,陈利霞,谭志刚,徐军古. 化学学报. 2010(21)
[2]Photoluminescence properties of LaF3:Eu3+ nanoparticles prepared by refluxing method[J]. 王振领,李敏,王畅,常加忠,石恒真,林君. Journal of Rare Earths. 2009(01)
[3]回流法制备纳米氧化铁的研究[J]. 钟红梅,杨延钊,张卫民,李雪梅,杨永会,徐显刚,孙思修. 山东大学学报(理学版). 2002(02)
本文编号：3345004
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