室温半导体红外光电探测器研究进展

发布时间：2021-08-20 20:43

　　室温工作将为光子型红外探测开辟更广泛的应用,系统整理和分析了从近红外到长波红外的Ⅲ-Ⅴ族及Ⅱ-Ⅵ族半导体探测器的室温性能,讨论不同材料体系和器件结构的室温暗电流机制:其中InAs/GaSb等二类超晶格的短周期带间级联结构以及HgCdTe抑制俄歇过程的方案在提升中长波红外室温探测性能方面都显示出了独特的优势。这些电子学结构的设计与近年来亚波长光子结构增强耦合、降低暗电流的新进展相结合,有望实现近室温工作的高灵敏红外探测。 

【文章来源】：红外与毫米波学报. 2020,39(05)北大核心EISCICSCD

【文章页数】：12 页

【部分图文】：

图６?ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＴｅ探测器的像元平均暗电流（使用冷??屏）与温度的关系，其中虚线为Ｒｕｌｅ－０７的理论值??Ｆｉｇ．?６?Ａｖｅｒａｇｅ?ｐｉｘｅｌ?ｄａｒｋ?ｃｕｒｒｅｎｔ?（ｗｉｔｈ?ｃｏｌｄ?ｓｈｉｅｌｄ）?ｖｓ?ｔｅｍ？??ｐｅｒａｔｕｒｅ?ｆｏｒ?２．?５?（ｉｍ?ｃｕｔｏｆｆ?ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＴｅ?ｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒ，??ｃ?

【参考文献】：
期刊论文
[1]高性能短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展[J]. 邵秀梅,龚海梅,李雪,方家熊,唐恒敬,李淘,黄松垒,黄张成.  红外技术. 2016(08)



本文编号：3354198