碳化硅晶圆的快速高质量复合加工方法

发布时间：2021-08-21 10:20

　　为了提升单晶碳化硅（SiC）材料的抛光效率及表面质量,提出了将传统抛光与磁流变抛光（MRF）相结合的新方法,并对一块直径为100 mm的单晶SiC晶圆进行实际加工。首先,采用环抛技术将单晶SiC晶圆表面粗糙度快速加工至0.6 nm左右;然后,通过配制特殊的磁流变抛光液,采用磁流变抛光技术对晶圆进行35 min快速均匀抛光,改善了SiC晶圆表面的缺陷,消除了晶圆亚表面损伤;最后,采用纳米金刚石抛光液,通过环抛对SiC晶圆进行精抛光,获得了粗糙度为0.327 nm的高表面质量单晶SiC晶圆。该方法将单晶SiC晶圆的加工时间缩短了约7 h,有利于提升SiC晶圆的加工效率、精度及质量。 

【文章来源】：光学学报. 2020,40(13)北大核心EICSCD

【文章页数】：6 页

【部分图文】：

粘结示意图

环抛加工图

若晶圆表面存在的表面缺陷及亚表面损伤无法消除,单晶的电学性能将大打折扣,甚至无法使用。如果继续采用传统加工方法来消除表面缺陷及亚表面损伤,这将意味着需要进一步采用纳米级的抛光粉和更小配重(正压力),从而导致材料去除效率过低(<0.1 μm·h-1),若要完全消除亚表面损伤并保证表面粗糙度,需要近10 h的分步骤抛光且无法保证平面度的稳定。因此,传统的加工方法很难解决这一问题。鉴于此,本文提出将传统环抛与磁流变抛光技术相结合的新方法,实现对晶圆表面缺陷及亚表面损伤的快速消除。3 单晶SiC晶圆的磁流变抛光

【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：3355416