InGaN/GaN多量子阱发光特性的研究

发布时间：2021-08-24 12:07

　　由于优异的电化学性质,GaN基材料在微电子领域和光电子领域得到了广泛的应用。GaN基材料是直接带隙半导体材料,相比于间接带隙半导体材料有更高的发光效率。而且通过调节GaN合金组分其禁带宽度可以从0.7 eV （InN）到6.28 eV （AlN）变化,覆盖了整个可见光范围。随着半导体工艺技术的不断进步发展,已经成功制备了蓝、绿、紫外光LED器件,而且蓝光LED已经成为世界各大公司研究的重点。但是GaN材料和蓝宝石衬底之间存在很大的晶格失配和热失配,在外延生长的时候晶体内会存在很高的位错、缺陷密度,这些位错和缺陷形成非辐射复合中心从而导致器件发光效率降低。InN和GaN互溶度很低而且饱和蒸汽压不同,所以在利用MOCVD生长InGaN/GaN多量子阱时,In组分在量子阱内分布不均匀容易形成富In区局域态。目前普遍接受的观点是由于这些局域态的存在限制了载流子向非辐射复合中心弛豫而提高了LED的发光效率,但是对InGaN/GaN多量子阱内载流子的动力学机制和发光机制等还没有完全认识清楚。本论文通过光致发光和电致发光等实验手段研究了InGaN/GaN多量子阱的温度和功率依赖性性,探究其发光特性,... 

【文章来源】：山东大学山东省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

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【部分图文】：

图２－２同质外延与异质外延生长示意图??

山东大学硕：ｉｒ学位论文??喷射炉内。由分别加热到相应温度喷射出的各元素分子流在衬底上生长出极（可薄至单原子层）单晶体。ＭＢＥ的优点有Ｗ下几点：能够制备出超薄层导体晶体；外延生长时的温度相对较低，有利于提高外延晶体的质量；外延的晶体均一性好且面积大；可Ｗ制备出不同组分的多层结构。在生长过程中，??替向反应室中提供所需气体源，使外延晶体能够Ｗ单原子层的速率生长Ｗ实子层外延。??

及加合物等逐步分解甚至气相成核；反应剂先吸附在衬底表面，然后在衬底表面??扩散反应，最终并入晶格、成核、岛状生长、台阶生长，最终形成外延层；副产??物和未发生反应的物质随着载气带出反应室。反应过程如图２－５。??。檐ａ無蟲碼??｜）？４??４?＼??０?數行物?ＴＭＯａ－ＸＨ；?§??Ａ?Ｏ?Ｔ??、２?严?《ｆ??爲細；?◎?Ｈ??朵?Ｃｗ’ＣＨｊ）；?。ＣＨ；??图２－５?ＧａＮ钟延生长机理’?‘??１８??

【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：3359961