一种基于双忆阻器的文氏桥混沌电路

发布时间：2021-09-02 06:10

　　为了获得更加复杂的非线性特性,在文氏桥电路中引入2个忆阻模型,提出了一种基于双忆阻器的文氏桥混沌电路。在分析该电路系统的局部稳定性时,发现该系统的稳定性不能仅由非零特征根进行确定。在研究该系统随电路参数变化的动力学特征（诸如Lyapunov指数、分岔图及相轨图等）时,该系统表现出复杂的动力学行为,具有双涡旋吸引子和共存分岔等现象。对系统的动力学特性进行硬件实验验证,结果符合预期,能够为忆阻混沌电路的研究提供参考。 

【文章来源】：中国科技论文. 2020,15(04)北大核心

【文章页数】：7 页

【部分图文】：

不同初始值的x-v系统相图

由式(10)可以进行不等式求解,画出在u0-v0平面上的稳定区域,如图6所示,在此区间内,稳定区域如图中箭头所示,剩余空白部分为不稳定区域。令u0=1，分析v0与稳定性的关系，可得当-2.5<v0<2.5时平衡点集是不稳定的，且整个区域关于v0=0对称。令v0=5，可得当0.8<u0<1.4和-1.4<u0<-0.8时，系统的平衡点集是稳定的，且整个区域关于u0=0对称。

通过计算可知,基于双忆阻器的文氏桥混沌电路的稳定性并不能仅由平衡点集E的3个非零特征根来确定。2个零特征根在固定电路参数下对系统特性有着较大的影响。当选取参数a=3.5、b=0.2、c=2.1、d=-1.2、e=0.3、g=1.2、h=7,初始状态(0.01, 0.01, 0.01, u0, v0)中u0与v0为可变参数。当u0=0时,式(4)表示的系统随初始状态v0变化的Lyapunov指数谱图如图7(a)所示;当v0=0时,式(4)表示的系统随初始状态u0变化的Lyapunov指数谱图如图7(b)所示,图7中LE5为更小的负数。图7的数值仿真结果与上述理论分析结果在-0.3<v0<-0.2、0.2<v0<0.3区间与-0.4<u0<-0.3、0.3<u0<0.4区间上存在差异，在此区间内系统的平衡点是稳定的。出现差异的原因为系统的平衡点集E由3个非零特征根与2个零特征根共同确定。

【参考文献】：
期刊论文
[1]基于SBT忆阻器元件的神经突触设计[J]. 孙菊斋,刘文昊,陆增,孙广杰,窦明龙,窦刚,李玉霞.  中国科技论文. 2019(03)
[2]基于蔡氏对偶电路的四阶忆阻混沌电路[J]. 张琳琳,张烁,常文亭,张玉曼,窦刚.  中国科技论文. 2017(08)
[3]含三个忆阻器的六阶混沌电路研究[J]. 王伟,曾以成,孙睿婷.  物理学报. 2017(04)
[4]新型忆阻器混沌电路及其在图像加密中的应用[J]. 闵富红,王珠林,王恩荣,曹弋.  电子与信息学报. 2016(10)



本文编号：3378470