一种瞬态抑制二极管封装工艺的优化与实现

发布时间：2021-09-13 10:32

　　瞬态抑制器件（Transient Voltage Suppressor）DFN1610是一种二极管形式的高效能保护器件,该器件在电路中不承担任何电源或信号的处理任务,故其在电路中的有无与否并不影响主电路功能及特性,因此不属于刚需类器件,但是对于存在浪涌风险的应用电路中能够起到保护主电路不被浪涌电流干扰甚至烧毁,能够极大地提高电路系统的可靠性功能,是保护手机,数码相机、音频播放器和其他许多便携式应用电子设备的理想器件。瞬态抑制器等高端功率半导体器件长期以进口为主,被国际半导体分立器件厂商垄断,具有价格高、物流周期较长、定制化能力弱等特点,制约了更新换代迅速的中国电子信息产业发展需求。影响TVS器件性能和可靠性的关键主要在于:芯片的设计和封装测试的制造过程,本文主要研究和探讨的是如何通过封装过程的优化实现TVS器件良率和性能的提升。TVS器件的生产制造包括晶圆切割、芯片粘接、芯片键合,塑封成型、管体切割、回流焊和器件测试及可靠性分析等环节;其中的芯片粘接和键合、塑封切割、产品测试这3道工序对封装器件可靠性起着决定性作用,故对这3道工序的合理性优化是本论文研究重点。本文主要研究方向是:通过对... 

【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：107 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

瞬态电压抑制器工作原理

TVS器件伏安关系曲线

TVS结电容与峰值脉冲电流的线性回归关系

【参考文献】：
期刊论文
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硕士论文
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本文编号：3394975