基于有机薄膜晶体管的射频识别标签电路

发布时间：2021-09-15 08:03

　　有机薄膜晶体管（Organic Thin Film Transistor,OTFT）工艺因为具有良好的可挠性、容易实现大面积制备、制作工艺成本低等优势,在目前十几年一直是学术界研究的方向之一。射频识别（Radio Frequency Identification,RFID）技术,因为可以通过调制解调与传播电磁波来实现对标记物体非接触式自动识别,现在己成熟应用于物联网领域,但传统的硅基集成电路存在厚度、柔韧性和封装成本等问题,人们不得不思考更好的解决方案,而薄膜晶体管可以实现制作电路轻薄,降低总体集成成本,逐渐成为业界热点,而基于有机薄膜晶体管制备的射频识别标签更是其中讨论的热点方向。首先,本文概述了薄膜晶体管的发展历史,对比了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管和有机薄膜晶体管各类晶体管的特点。然后针对射频识别系统的体系结构进行简单介绍,并指出有机薄膜晶体管在射频识别系统中的RFID标签电路上具有一定的应用前景。其次,介绍了薄膜晶体管顶栅接触、底栅底接触和底栅顶接触的器件结构,同时展示了有机薄膜晶体管的工艺制备过程,并根据实验室条件选择顶栅结构有机薄膜晶体管器件作为本文... 

【文章来源】：山东大学山东省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：80 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

图１．０．１薄膜晶体管的应用场景??１??

Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）的一个分类。ＴＦＴ的结构和工作原理与现代集成电路中的关键??组成器件一一金属氧化物场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）极其相似。薄膜晶体??管和场效应晶体管的发展历程Ｗ见图１．１．０．］。场效应晶体管的专利最早于??１９２５年被申请。而第一个具有正式意义的薄膜晶体管则诞生于１９６２年［４］，??由Ｐａｕｌ?Ｋ．?Ｗｅｉｍｅｒ博士在美国无线电公司使用硫化镉（ＣｄＳ）作为半导体??材料制作而成（图１．?１．?０．?２?（ｂ）所示）。如图１．?１．?０．?２?（ａ）所示的硫化??镉ＴＦＴ结构。由于当时工艺水平的限制，美国无线电公司的工作人员不得??不通过漏板工艺，在玻璃基底上沉积作为源漏电极的金电极，并使源漏电??２??

１９９０?ｏｒｇａｎｉｃ?ＴＦＴ???２００３?ＡＭＯＬＥＤ?／Ｏｘｉｄｅ?ＴＦＴ??图１．?ｉ．?〇．?ｉ薄膜晶体管和场效应晶体管的发展历程??薄膜晶体管（Ｔｈｉｎ?Ｆｉｌｍ?Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＴＦＴ）属于场效应晶体管（Ｆｉｅｌｄ?Ｅｆｆｅｃｔ??Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）的一个分类。ＴＦＴ的结构和工作原理与现代集成电路中的关键??组成器件一一金属氧化物场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）极其相似。薄膜晶体??管和场效应晶体管的发展历程Ｗ见图１．１．０．］。场效应晶体管的专利最早于??１９２５年被申请。而第一个具有正式意义的薄膜晶体管则诞生于１９６２年［４］，??由Ｐａｕｌ?Ｋ．?Ｗｅｉｍｅｒ博士在美国无线电公司使用硫化镉（ＣｄＳ）作为半导体??材料制作而成（图１．?１．?０．?２?（ｂ）所示）。如图１．?１．?０．?２?（ａ）所示的硫化??镉ＴＦＴ结构。由于当时工艺水平的限制，美国无线电公司的工作人员不得??不通过漏板工艺，在玻璃基底上沉积作为源漏电极的金电极，并使源漏电??２??

【参考文献】：
博士论文
[1]有机薄膜晶体管模型建立及其集成电路设计[D]. 尹飞飞.北京交通大学 2017



本文编号：3395711