酞菁铅/酞菁锌共混有机晶体管的制备与特性研究
发布时间：2021-09-19 07:07
采用磁控溅射和真空蒸镀的制备技术制备出了具有垂直结构的ZnPc薄膜二极管和薄膜晶体管、PbPc薄膜二极管和薄膜晶体管以及ZnPc/PbPc共混蒸镀的薄膜二极管和薄膜晶体管。共混蒸镀薄膜是具有ZnPc和PbPc两种组分的有机共晶体,它具有特殊的分子堆积方式和结构,使得该混合薄膜不仅保留了各自组分本身的特性,还展现了更加优良的光电特性,相较于单一型酞菁系有机器件,它可以拓宽薄膜对于可见光的吸收范围和改善器件的内部载流子输运,从而使薄膜有机器件具有更好的光电特性和载流子传输特性。本文主要对ZnPc和PbPc混合比例为1:1的共混蒸镀有机薄膜器件进行研究。使用双光束紫外可见光光度计,原子力显微镜,台阶测试仪和其他测试I-V特性所需的测试仪器对有机薄膜器件进行测试。通过对不同类型的有机薄膜器件进行对比,发现混合比例为1:1的ZnPc/PbPc共混蒸镀薄膜的陷阱能团更少,该类型器件具有更好的输出特性。通过物理表征的结果发现,混合比例为1:1的ZnPc/PbPc共混蒸镀薄膜的吸收光谱范围是280-900nm,吸收峰在341nm时具有最大的吸收率,吸收率为0.677,该混合薄膜属于无定型的形态,混合有...
【文章来源】：哈尔滨理工大学黑龙江省
【文章页数】：61 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
酞普系材料的分子结构
7的 PN 结二极管的交流等效电路ivalent circuit of PN junction di电压下，实际的 PN 结二极，那么，输入电压的频率压的幅值一定时，输入的压关系 结的内部含有电容，而电两侧施加三角波信号时，2-4)、(2-5)、(2-6)和(2-7)。RIdtdVt=C+( )RIdtdVt= C+ )
0C(V )[I(t)I(t)]/8fV+ = V/dt 是三角波信号上升或者下降的斜率，V0是三角波波信号的频率，C 是 PN 结二极管的等效电容，IR是流。件的阈值电压与受陷电荷的释放机理电压的求解机薄膜晶体管受缺陷和表面态等多重因素的影响，使常见定义阈值电压的方法有外差法和固定电流法两类是通过对漏-源极间电流和栅-源极间电压的特性曲线进值，找到该值对应的栅极电压，以此点电压对特性曲上的交点就是阈值电压，具体方法如图 2-3 所示。但压奇异性很大，再加上有机器件的机制很复杂，牵涉形态等物理参数，使得该方法与实际有一定的误差。
本文编号：3401259
【文章来源】：哈尔滨理工大学黑龙江省
【文章页数】：61 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
酞普系材料的分子结构
7的 PN 结二极管的交流等效电路ivalent circuit of PN junction di电压下，实际的 PN 结二极，那么，输入电压的频率压的幅值一定时，输入的压关系 结的内部含有电容，而电两侧施加三角波信号时，2-4)、(2-5)、(2-6)和(2-7)。RIdtdVt=C+( )RIdtdVt= C+ )
0C(V )[I(t)I(t)]/8fV+ = V/dt 是三角波信号上升或者下降的斜率，V0是三角波波信号的频率，C 是 PN 结二极管的等效电容，IR是流。件的阈值电压与受陷电荷的释放机理电压的求解机薄膜晶体管受缺陷和表面态等多重因素的影响，使常见定义阈值电压的方法有外差法和固定电流法两类是通过对漏-源极间电流和栅-源极间电压的特性曲线进值，找到该值对应的栅极电压，以此点电压对特性曲上的交点就是阈值电压，具体方法如图 2-3 所示。但压奇异性很大，再加上有机器件的机制很复杂，牵涉形态等物理参数，使得该方法与实际有一定的误差。
本文编号：3401259
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