高可靠混合集成电路（HIC）基板异质膜层搭接典型问题浅析

发布时间：2021-09-22 00:01

　　阐述了高可靠混合集成电路（HIC）配套厚膜基板典型异质膜层搭接部位的三种典型问题:Au/Ag基膜层功能相过度扩散问题、Ag基导体与低阻值电阻分层问题以及Au基导体与介质分层问题。从机理分析结合剖面微观分析的角度对问题进行了研究。研究发现:Au/Ag基膜层功能相过度扩散问题的原因是原子的不平衡扩散;Ag导体膜层致密度过高,电阻中的粘结相无法有效浸润从而导致了Ag基导体与低阻值电阻分层问题;而Au基导体与介质分层问题则是由于异质浆料粘接相不匹配造成的。最后对设计和生产过程中可能采取的措施给出了建议。 

【文章来源】：电子元件与材料. 2020,39(09)北大核心CSCD

【文章页数】：8 页

【部分图文】：

Au/Ag异质导体膜层搭接边沿

由图2可以看出,某型Au/Ag(10 μm/15 μm)异质导体膜层搭接区域的初始烧结状态已经发生一定的扩散,但由于程度较低,搭接区边沿平滑过渡,SEM未观察出明显的边界。经过20次烧结后,如图3所示,试样中的Ag向Au层中扩散明显,Au/Ag搭接区中的异质金属成分近似完全均匀分布,而Au向Ag层中扩散程度相对较低,Ag层中检测到的Au含量较少。Au/Ag搭接区发生的原子不平衡扩散导致搭接区界面处的Ag层厚度出现退化、塌陷。图3 某型Au/Ag(10 μm/15 μm)异质导体膜层20次

某型Au/Ag(10 μm/15 μm)异质导体膜层20次

【参考文献】：
期刊论文
[1]混合集成电路激光调阻技术[J]. 朱明锋,王洋.  电子制作. 2018(09)
[2]厚膜导电浆料的组成及银粉在其中的应用[J]. 吴存坤,刘瑜.  上海化工. 2016(02)
[3]Au-Ag系统的扩散系数及其扩散激活能的研究[J]. 刘友婴,李望,展振宗,陈国平.  真空科学与技术. 1993(04)



本文编号：3402748