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基于近红外发光铱配合物的掺杂型与键合型聚合物发光二极管器件的应用

发布时间:2021-10-04 21:51
  近红外有机发光二极管器件(NIR-OLED)因其自发光、高效率、柔性显示和制备工艺简单等优点及在国防、光通讯及光导纤维等领域的潜在重要价值引起了广泛的关注。本文基于低成本及大面积柔性显示的近红外聚合物发光器件(NIR-PLED)开发,拟通过两种方式制备器件的发光层:其一,将近红外发光的铱配合物为客体材料,物理掺杂至主体聚合物材料(如聚乙烯咔唑)而制备掺杂型发光层;其二,将客体材料铱配合物通过Suzuki耦合反应共价键合于聚芴(PF)而得到键合型复合材料。同时,依托掺杂型和键合型复合材料的良好近红外发光性能及物理性能(如好机械加工性、高热稳定性及易湿法成膜等),期望开发出有优良电致近红外发光性能的NIR-PLED。1、基于铱配合物的优良光致近红外发光性能考虑:利用苯并噻吩类主配体Hiqbt(Hiqbt=1-(benzo[b]thiophen-2-yl)isoquinoline)和溴代-席呋碱类辅助配体HL(HL=(E)-4-bromo-2-((phenylimino)methyl)phenol)在一定条件下与IrCl3·3H2O反应,合成得到了... 

【文章来源】:西北大学陕西省 211工程院校

【文章页数】:75 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

基于近红外发光铱配合物的掺杂型与键合型聚合物发光二极管器件的应用


铱配合物结构与光致/电致发光图谱

能级图,能级图,发光效率,器件


图 1.2 器件的能级图与功率-发光效率图Fig. 1.2 Power efficiency and luminous efficiency and the energy diagram of device久前,Qiu 等人合成了一系列近红外发射铱配合物[45-47],其中铱配-g)2(Bphen)]通过引入 sp2杂化的 N 原子和与其相对的苯基苯并喹啉中的螯],在 850 nm 处显示出有延长的发射峰。基于[Ir(pbq-g)2(Bphen)]为发光层得了最大外量子效率高达 2.2%,效率滚降可忽略不计。在 2014 年,过渡物[(thdpqx)2Ir(acac)]通过物理混合掺杂入器件,EL 发射峰位于 704 nm,成大外量子效率,高达 3.4%[49],这是到目前为止,将过渡金属铱配合物应用光器件所得到的最大外量子效率。Liu[50]等人以[(t-BuPyrPyTPA)2Ir(acac)]为备了掺杂型近红外聚合物发光器件,器件结构为 ITO/PEDOT(40 nm)/PVXD-7:4 wt%(t-BuPyrPyTPA)2Ir(acac)(60 nm)/TPBi(30 nm)/Ba(4 nm)/Al (100 n外发射峰位置于 698 nm,肩峰的位置在 763 nm,当电流密度为 2.6 mA·cm-2量子效率为 0.56%。

共聚物,铱配合物,红光发射


与反应条件的影响,主体材料与客体材料的实际聚合比例枝于主体材料中,整个聚合物的共轭体系增大,使得聚合发生红移。铱配合物应用于键合型聚合物有机发光二极管主要研究于域的键合型聚合物有机发光二极管方面暂时还无报道,所光二极管的高效性能,根据目前红光发射的研究现状将其重要的目标。Chen[55]等人报道了用铱配合物通过 Suzuki 耦层,获得了红光发射 PLED 器件,最大外量子效率为 1.5ng Kai[56]等人合成了一系列新型共聚物 PFCzIrpiq,共聚物-二酮配体和 1-苯基异喹啉配体的铱配合物。其 PL 发射位置在 630 nm 左右,属于红光发射。器件结构为:ITO/PEDO/Al,其最大外量子效率为 0.60%,最大亮度为 541 cd·m-2。


本文编号:3418397

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