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AlN的近真空紫外非周期振荡发射(英文)

发布时间:2021-10-08 09:48
  近带边折射率的准确测量对于深紫外发光二极管和激光二极管的光学结构设计是非常重要的.通常,各向异性光学薄膜的折射率等光学常数可以通过变角度椭圆光谱仪测得.然而,这种方法仍存在一些局限性.本文提出了一种利用测量宽带半导体带边折射率色散的有潜力方法,在1500 nm厚的AlN薄膜的荧光光谱中观察到一种源于Fabry-Perot效应的非周期振荡发射现象.基于荧光光谱的特点以及Fabry-Perot效应的定义, AlN薄膜在干涉加强和减弱处对应波长的近带边o光折射率可以被直接获得.这种折射率测量方法对于变角度椭圆光谱法是一种补充,对于转移薄膜以及较薄样品,测量其荧光光谱是一种更为直接而且有效的方法. 

【文章来源】:Science Bulletin. 2020,65(10)EISCICSCD

【文章页数】:5 页

【参考文献】:
期刊论文
[1]Vacuum ultraviolet photovoltaic arrays[J]. WEI ZHENG,RICHENG LIN,LEMIN JIA,FENG HUANG.  Photonics Research. 2019(01)
[2]Raman tensor of AlN bulk single crystal[J]. Wei Zheng,Ruisheng Zheng,Feng Huang,Honglei Wu,Fadi Li.  Photonics Research. 2015(02)



本文编号:3423919

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