微同轴T形功分器的制作工艺研究
发布时间:2021-10-13 04:43
功分器是组成射频微波系统的重要元器件。随着射频微波系统不断向小型化、高频化和高集成度方向发展,对功分器的性能提出了更高的要求。微同轴T形功分器因具有体积小、频带宽、抗串扰能力强等优点而在射频微波系统中具有很好的应用前景,但其制作工艺还不甚成熟,因此本文对微同轴T形功分器的制作工艺开展了相关研究。首先根据要制作的功分器的结构特点制定了加工方案,然后针对工艺难点进行了实验研究,最后根据制定的加工方案并结合前期实验研究的结果制作了该功分器。对微电铸用AZ 50XT胶模侧壁陡直性问题开展了研究。采用“预曝光”的方法,解决了胶膜微沟道曝光过程中曝光剂量无法准确选取的问题;采用分次曝光、分次显影的方法,克服了AZ 50XT胶膜因光吸收系数过大导致的光刻困难问题;显影前,通过对胶膜进行等离子体处理,去除了胶膜表面的“钝化层”,消除了显影时出现的表面抑制效应,降低了显影的困难程度。综合采取以上措施后,制得的AZ 50XT胶模的侧壁陡直程度得到了大幅度的提高。针对后处理过程中内导体易与支撑体发生分离的问题,对内导体/支撑体的界面结合性能进行了研究。通过对内导体/支撑体结合界面的分析,发现铜种子层与支撑体...
【文章来源】:大连理工大学辽宁省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】:65 页
【学位级别】:硕士
【文章目录】:
摘要
Abstract
1 绪论
1.1 研究背景及意义
1.2 功分器及其研究现状
1.3 正性厚光刻胶紫外光刻工艺研究现状
1.4 SU-8/金属界面结合强度研究现状
1.5 本文研究内容
2 T形功分器加工方案的确定
2.1 T形功分器工作原理
2.2 工艺路线的确定及材料的选择
2.2.1 工艺路线的确定
2.2.2 材料的选择
2.3 T形功分器的结构改进
2.4 工艺难点分析
2.5 本章小结
3 AZ50XT胶模侧壁陡直性研究
3.1 AZ50XT紫外光刻工艺
3.1.1 AZ50XT光刻胶光分解原理
3.1.2 制作AZ50XT胶模的工艺流程
3.2 AZ50XT胶模侧壁陡直性差的成因
3.3 提高AZ50XT胶模侧壁陡直度的方法
3.4 本章小结
4 内导体/支撑体界面结合性能研究
4.1 界面分层失效原因分析
4.2 提高界面结合强度的方法
4.2.1 界面结合强度测试方法
4.2.2 界面结合强度测试实验流程
4.2.3 实验结果与讨论
4.3 粘附层提高结合强度机理分析
4.4 本章小结
5 T形功分器的制作
5.1 T形功分器的制作流程
5.1.1 基底预处理
5.1.2 各层微结构的制作
5.1.3 AZ50XT胶膜的去除
5.2 尺寸误差分析及误差补偿
5.3 本章小结
总结
参考文献
攻读硕士学位期间发表学术论文情况
致谢
【参考文献】:
期刊论文
[1]MEMS器件刻蚀工艺优化[J]. 孙德玉,马洪江. 微处理机. 2016(02)
[2]在金属基底上制作高深宽比金属微光栅的方法[J]. 杜立群,鲍其雷,赵明,王翱岸. 光学精密工程. 2015(03)
[3]室内分布用腔体功分器原理及测试方法分析[J]. 王晨,廖运发,张虎,李晓宏. 电信网技术. 2013(07)
[4]EFAB工艺关键技术评述[J]. 王晓霞. 传感器与微系统. 2008(08)
[5]基片集成波导功分器仿真设计[J]. 邓磊,唐高弟. 信息与电子工程. 2008(02)
[6]厚胶光刻中曝光光强对光化学反应速率的影响[J]. 唐雄贵,郭永康,杜惊雷,温圣林,刘波,罗伯靓,董小春. 光电工程. 2006(05)
[7]烘焙工艺条件对厚胶光刻面形的影响[J]. 唐雄贵,姚欣,郭永康,杜惊雷,温圣林,刘波,刘倩,董小春. 微细加工技术. 2005(03)
[8]用于微器件加工的AZ4620厚胶光刻工艺研究[J]. 罗铂靓,杜惊雷,唐雄贵,杜春雷,刘世杰,郭永康. 半导体技术. 2005(07)
[9]低温共烧陶瓷(LTCC)材料的应用及研究现状[J]. 崔学民,周济,沈建红,缪春林. 材料导报. 2005(04)
[10]SU-8胶与基底结合特性的实验研究[J]. 刘景全,朱军,蔡炳初,陈迪,丁桂甫,赵小林,杨春生. 微细加工技术. 2002(02)
博士论文
[1]超声提高SU-8光刻胶/金属基底界面结合强度研究[D]. 张晓蕾.大连理工大学 2015
[2]厚胶光学光刻技术研究[D]. 唐雄贵.四川大学 2006
硕士论文
[1]惯性微开关的制作及正性厚胶工艺研究[D]. 陈胜利.大连理工大学 2016
[2]微波毫米波波导功分/合成电路研究[D]. 李国良.电子科技大学 2016
[3]紫外表面处理提高金属薄膜与PMMA结合结度研究[D]. 王良.大连理工大学 2015
[4]全带宽波导功分器的研究与设计[D]. 王昕.电子科技大学 2015
[5]微带功分器的研究与设计[D]. 王江航.电子科技大学 2015
[6]微波高集成度小型化功率分配/合成网络的研究[D]. 顾超.南京理工大学 2015
[7]三毫米前端小型化技术研究[D]. 王璞.电子科技大学 2013
[8]微波毫米波功分器/滤波器设计[D]. 尹震峰.电子科技大学 2012
[9]不等分微带功分器的设计与仿真[D]. 邱伟佳.北京邮电大学 2008
本文编号:3433972
【文章来源】:大连理工大学辽宁省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】:65 页
【学位级别】:硕士
【文章目录】:
摘要
Abstract
1 绪论
1.1 研究背景及意义
1.2 功分器及其研究现状
1.3 正性厚光刻胶紫外光刻工艺研究现状
1.4 SU-8/金属界面结合强度研究现状
1.5 本文研究内容
2 T形功分器加工方案的确定
2.1 T形功分器工作原理
2.2 工艺路线的确定及材料的选择
2.2.1 工艺路线的确定
2.2.2 材料的选择
2.3 T形功分器的结构改进
2.4 工艺难点分析
2.5 本章小结
3 AZ50XT胶模侧壁陡直性研究
3.1 AZ50XT紫外光刻工艺
3.1.1 AZ50XT光刻胶光分解原理
3.1.2 制作AZ50XT胶模的工艺流程
3.2 AZ50XT胶模侧壁陡直性差的成因
3.3 提高AZ50XT胶模侧壁陡直度的方法
3.4 本章小结
4 内导体/支撑体界面结合性能研究
4.1 界面分层失效原因分析
4.2 提高界面结合强度的方法
4.2.1 界面结合强度测试方法
4.2.2 界面结合强度测试实验流程
4.2.3 实验结果与讨论
4.3 粘附层提高结合强度机理分析
4.4 本章小结
5 T形功分器的制作
5.1 T形功分器的制作流程
5.1.1 基底预处理
5.1.2 各层微结构的制作
5.1.3 AZ50XT胶膜的去除
5.2 尺寸误差分析及误差补偿
5.3 本章小结
总结
参考文献
攻读硕士学位期间发表学术论文情况
致谢
【参考文献】:
期刊论文
[1]MEMS器件刻蚀工艺优化[J]. 孙德玉,马洪江. 微处理机. 2016(02)
[2]在金属基底上制作高深宽比金属微光栅的方法[J]. 杜立群,鲍其雷,赵明,王翱岸. 光学精密工程. 2015(03)
[3]室内分布用腔体功分器原理及测试方法分析[J]. 王晨,廖运发,张虎,李晓宏. 电信网技术. 2013(07)
[4]EFAB工艺关键技术评述[J]. 王晓霞. 传感器与微系统. 2008(08)
[5]基片集成波导功分器仿真设计[J]. 邓磊,唐高弟. 信息与电子工程. 2008(02)
[6]厚胶光刻中曝光光强对光化学反应速率的影响[J]. 唐雄贵,郭永康,杜惊雷,温圣林,刘波,罗伯靓,董小春. 光电工程. 2006(05)
[7]烘焙工艺条件对厚胶光刻面形的影响[J]. 唐雄贵,姚欣,郭永康,杜惊雷,温圣林,刘波,刘倩,董小春. 微细加工技术. 2005(03)
[8]用于微器件加工的AZ4620厚胶光刻工艺研究[J]. 罗铂靓,杜惊雷,唐雄贵,杜春雷,刘世杰,郭永康. 半导体技术. 2005(07)
[9]低温共烧陶瓷(LTCC)材料的应用及研究现状[J]. 崔学民,周济,沈建红,缪春林. 材料导报. 2005(04)
[10]SU-8胶与基底结合特性的实验研究[J]. 刘景全,朱军,蔡炳初,陈迪,丁桂甫,赵小林,杨春生. 微细加工技术. 2002(02)
博士论文
[1]超声提高SU-8光刻胶/金属基底界面结合强度研究[D]. 张晓蕾.大连理工大学 2015
[2]厚胶光学光刻技术研究[D]. 唐雄贵.四川大学 2006
硕士论文
[1]惯性微开关的制作及正性厚胶工艺研究[D]. 陈胜利.大连理工大学 2016
[2]微波毫米波波导功分/合成电路研究[D]. 李国良.电子科技大学 2016
[3]紫外表面处理提高金属薄膜与PMMA结合结度研究[D]. 王良.大连理工大学 2015
[4]全带宽波导功分器的研究与设计[D]. 王昕.电子科技大学 2015
[5]微带功分器的研究与设计[D]. 王江航.电子科技大学 2015
[6]微波高集成度小型化功率分配/合成网络的研究[D]. 顾超.南京理工大学 2015
[7]三毫米前端小型化技术研究[D]. 王璞.电子科技大学 2013
[8]微波毫米波功分器/滤波器设计[D]. 尹震峰.电子科技大学 2012
[9]不等分微带功分器的设计与仿真[D]. 邱伟佳.北京邮电大学 2008
本文编号:3433972
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/3433972.html