Ⅰ-Ⅱ 2 -Ⅲ-Ⅵ 4 族多元硫化物磁性半导体的制备及其性能研究
发布时间:2021-10-21 19:01
磁性半导体因其兼具电子电荷和电子自旋两种特性而受到广泛的关注,但磁性半导体较低的居里温度一直制约着此类材料的发展。因此研制出具有高居里温度的磁性半导体仍然是发展重点。多元硫族化合物因其组成和结构的多样性和灵活性逐渐进入人们的视野,经过多年的研究,也取得了很大的发展。但目前制备出来主要集中在有序体系,无序型体系的研究还相当有限,主要集中在I-III-VI2,I2-IV-VI3,I2-II-IV-VI4族化合物。最近,有课题组成功制备出无序相纤锌矿型结构I-II2-III-IV4族化合物。这说明该类无序相类金刚石型硫属化合物还有着极大的发展可能性。因此,本文采用热注入法,制备I-II2-III-IV4族化合物,并对其相关性能进行研究,进一步丰富了该体系的内容。研究内容主要包括:(1)以油酸为配位剂,十二硫醇为硫源,自制乙酰丙酮盐为前驱,利用热注入法制备六方纤锌矿型CuNi2...
【文章来源】:南昌大学江西省 211工程院校
【文章页数】:70 页
【学位级别】:硕士
【文章目录】:
摘要
abstract
第1章 绪论
1.1 引言
1.2 自旋电子学
1.2.1 自旋电子学发展
1.2.2 自旋电子器件
1.3 磁性半导体
1.3.1 磁性半导体发展
1.3.2 Ⅱ-Ⅵ族磁性半导体
1.3.3 Ⅲ-Ⅴ族磁性半导体
1.3.4 Ⅳ-Ⅵ族以及Ⅳ族磁性半导体
1.4 磁性机理解释
1.4.1 双交换作用
1.4.2 RKKY交换
1.4.3 束缚磁极化子(BMP)模型
1.5 多元硫属化合物
1.5.1 多元硫属化合物发展
1.6 制备方式
1.7 选题意义及内容
第2章 CuNi_2InS_4磁性半导体的制备及其性能的研究
2.1 引言
2.2 实验部分
2.2.1 实验主要药品和仪器
2.2.2 制备过程
2.2.3 产物的表征
2.3 实验结果与讨论
2.3.1 六方纤锌矿CuNi_2InS_4
2.3.2 四方相CuNi_2InS_4
2.4 本章小结
第3章 CuNi_xZn_(2-x)InS_4 磁性半导体的制备及其性能的研究
3.1 引言
3.2 实验部分
3.2.1 实验主要药品和仪器
3.2.2 制备过程
3.2.3 产物的表征
3.3 实验结果与讨论
3.3.1 X射线衍射(XRD)分析
3.3.2 形貌分析和结构分析
3.3.3 成分分析
3.3.4 紫外可见漫反射光谱分析
3.5 本章小结
第4章 结论
4.1 本文结论
4.2 创新点
致谢
参考文献
攻读学位期间的研究成果
【参考文献】:
期刊论文
[1]稀磁半导体材料的研究进展及应用前景[J]. 王颖,湛永钟,许艳飞,喻正文. 材料导报. 2007(07)
博士论文
[1]基于二维碳材料的自旋电子学和热自旋电子学器件的设计与研究[D]. 倪昀.华中科技大学 2013
[2]自旋电子学相关研究[D]. 张弘.兰州大学 2009
硕士论文
[1]硫化物基纳米稀磁半导体的制备与性能研究[D]. 赵文华.兰州理工大学 2018
[2]铈掺杂氧化铜稀磁半导体材料的光学及磁学特性[D]. 揣明艳.吉林大学 2017
[3]半导体与多种异质结构的磁性与调控[D]. 王思洋.山东大学 2017
[4]受主掺杂SnO2基稀磁半导体的结构及磁性的研究[D]. 付雨婷.天津理工大学 2017
[5]多元硫化物纳米结构的控制合成及其性能研究[D]. 汪春英.南昌大学 2014
本文编号:3449551
【文章来源】:南昌大学江西省 211工程院校
【文章页数】:70 页
【学位级别】:硕士
【文章目录】:
摘要
abstract
第1章 绪论
1.1 引言
1.2 自旋电子学
1.2.1 自旋电子学发展
1.2.2 自旋电子器件
1.3 磁性半导体
1.3.1 磁性半导体发展
1.3.2 Ⅱ-Ⅵ族磁性半导体
1.3.3 Ⅲ-Ⅴ族磁性半导体
1.3.4 Ⅳ-Ⅵ族以及Ⅳ族磁性半导体
1.4 磁性机理解释
1.4.1 双交换作用
1.4.2 RKKY交换
1.4.3 束缚磁极化子(BMP)模型
1.5 多元硫属化合物
1.5.1 多元硫属化合物发展
1.6 制备方式
1.7 选题意义及内容
第2章 CuNi_2InS_4磁性半导体的制备及其性能的研究
2.1 引言
2.2 实验部分
2.2.1 实验主要药品和仪器
2.2.2 制备过程
2.2.3 产物的表征
2.3 实验结果与讨论
2.3.1 六方纤锌矿CuNi_2InS_4
2.3.2 四方相CuNi_2InS_4
2.4 本章小结
第3章 CuNi_xZn_(2-x)InS_4 磁性半导体的制备及其性能的研究
3.1 引言
3.2 实验部分
3.2.1 实验主要药品和仪器
3.2.2 制备过程
3.2.3 产物的表征
3.3 实验结果与讨论
3.3.1 X射线衍射(XRD)分析
3.3.2 形貌分析和结构分析
3.3.3 成分分析
3.3.4 紫外可见漫反射光谱分析
3.5 本章小结
第4章 结论
4.1 本文结论
4.2 创新点
致谢
参考文献
攻读学位期间的研究成果
【参考文献】:
期刊论文
[1]稀磁半导体材料的研究进展及应用前景[J]. 王颖,湛永钟,许艳飞,喻正文. 材料导报. 2007(07)
博士论文
[1]基于二维碳材料的自旋电子学和热自旋电子学器件的设计与研究[D]. 倪昀.华中科技大学 2013
[2]自旋电子学相关研究[D]. 张弘.兰州大学 2009
硕士论文
[1]硫化物基纳米稀磁半导体的制备与性能研究[D]. 赵文华.兰州理工大学 2018
[2]铈掺杂氧化铜稀磁半导体材料的光学及磁学特性[D]. 揣明艳.吉林大学 2017
[3]半导体与多种异质结构的磁性与调控[D]. 王思洋.山东大学 2017
[4]受主掺杂SnO2基稀磁半导体的结构及磁性的研究[D]. 付雨婷.天津理工大学 2017
[5]多元硫化物纳米结构的控制合成及其性能研究[D]. 汪春英.南昌大学 2014
本文编号:3449551
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/3449551.html