局域表面等离激元共振提升AlGaN基深紫外LED内量子效率的研究

发布时间：2021-10-22 06:39

　　AlGaN基深紫外发光二极管（DUV-LED）作为一种新型的紫外固态光源,具有体积小、功耗低、寿命长、波长连续可调等诸多优点。高性能的DUV-LED在杀菌消毒、医疗健康、保密通信等民用、军事领域具有巨大的应用价值。目前获得AlGaN基DUV-LED的主要办法是采用蓝宝石作为衬底,通过异质外延生长来实现。由于外延材料和蓝宝石衬底间的晶格失配、热失配效应以及高Al组分AlGaN材料强烈的气相预反应等因素,外延生长得到的AlGaN材料中存在大量的位错(¹0⁹ cm^-2)。这些位错到达量子阱有源区,会形成非辐射复合中心,导致了AlGaN基DUV-LED内量子效率偏低。利用金属纳米结构局域表面等离激元（LSPs）共振耦合可以有效提高量子阱区域的光子态密度,降低激子被缺陷捕获的概率,是当前增强DUV-LED内量子效率的研究热点。本文围绕Al纳米结构LSPs共振提升深紫外LED量子阱内量子效率展开研究:本论文创新性的提出了采用Al/SiO₂复合结构实现深紫外波段的LSPs共振。通过FDTD模拟,仿真计算了AlGa... 

【文章来源】：华中科技大学湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：66 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

（a）紫外LED和紫外汞灯的性能比较

图 1-2AlGaN 基 DUV-LED 结构示意图[7]aN 基 DUV-LED 的技术瓶颈AlGaN 基 DUV-LED 在过去的十几年时间里取得了很大的进步，但与D 相比，其器件效率仍旧偏低。同时，各研究机构报道的 DUV-LED普遍低于 5%[8, 10]，如图 1-3 所示。其主要原因可以概括为以下两点

图 1-2AlGaN 基 DUV-LED 结构示意图[7]N 基 DUV-LED 的技术瓶颈lGaN 基 DUV-LED 在过去的十几年时间里取得了很大的进步， 相比，其器件效率仍旧偏低。同时，各研究机构报道的 DUV普遍低于 5%[8, 10]，如图 1-3 所示。其主要原因可以概括为以下

【参考文献】：
期刊论文
[1]基于纳米球刻蚀的银纳米颗粒阵列和有序纳米壳层的制备[J]. 刘斌斌,肖湘衡,吴伟,任峰,蒋昌忠.  武汉大学学报(理学版). 2011(03)

博士论文
[1]AlGaN基深紫外LED的MOCVD外延生长[D]. 李洋.华中科技大学 2015



本文编号：3450573