45°高反膜中节瘤缺陷的电场增强效应及损伤特性

发布时间：2021-10-23 00:30

　　研究设计和制备了中心波长为1 064 nm的45°多层膜反射镜,通过数值仿真结合实验,对薄膜中节瘤缺陷引起的电场增强效应及其对薄膜抗激光损伤性能的影响进行了研究。结果表明:当1 064 nm激光从右至左45°斜入射时,电场增强效应主要出现在节瘤缺陷的表层及其左侧轮廓中部,电场增强效应随节瘤缺陷尺寸增大而增强。实验上,在清洁的基板表面喷布单分散SiO₂微球作为人工节瘤种子,采用电子束蒸发制备法完成多层全反膜的制备,采用R-on-1方式对薄膜样品进行激光损伤测试。结果表明,薄膜的损伤阈值随着节瘤缺陷尺寸增加而减小。通过综合分析电场增强效应、薄膜损伤测试结果及损伤形貌特征得出,薄膜损伤阈值降低是由于节瘤缺陷和薄膜中微缺陷共同作用的结果。 

【文章来源】：强激光与粒子束. 2020,32(07)北大核心CSCD

【文章页数】：7 页

【参考文献】：
期刊论文
[1]杂质微粒对薄膜的损伤效应[J]. 周成虎,张秋慧,黄明明,黄全振.  红外与激光工程. 2016(07)
[2]节瘤缺陷激光损伤的研究进展[J]. 谢凌云,程鑫彬,张锦龙,焦宏飞,马彬,丁涛,沈正祥,王占山.  强激光与粒子束. 2016(09)



本文编号：3452115