抑制In元素在CdTe中的退火扩散

发布时间：2021-10-29 19:38

　　分子束外延HgCdTe/InSb材料需要阻止In元素在HgCdTe中的不受控扩散。我们使用CdTe缓冲层作为阻挡层,以期控制In的扩散。为研究In元素在CdTe材料中的扩散,我们使用分子束外延方法获得CdTe/InSb样品。考虑到在退火时In元素可能通过环境扩散污染材料,我们使用SiO₂作为钝化层,通过对比试验发现In元素通过环境扩散污染表面的证据,为控制In元素的扩散提供新的思路。 

【文章来源】：激光与红外. 2020,50(05)北大核心CSCD

【文章页数】：3 页

【部分图文】：

InSb热脱附RHEED图样

材料钝化结构示意图

为退火样品的In元素SIMS测试结果。图3中#1样品是原生片,#2是表面未做钝化保护的样品,#3是正面钝化的样品,#4是背面钝化的样品。材料表面的钝化保护层是使用磁控溅射的方法在材料表面生长一层约200 nm厚的SiO2保护层,用以防止退火过程中In元素向环境中蒸发扩散。图3 退火样品In元素SIMS测试结果 (#1原生片#2未钝化样品#3正面钝化样品#4背面钝化样品)

【参考文献】：
期刊论文
[1]MBE外延InSb基CdTe工艺研究[J]. 王丛,刘铭,王经纬,尚林涛,周立庆.  激光与红外. 2017(04)
[2]CdTe/Si复合衬底Ex-situ退火研究[J]. 刘铭,周立庆,巩锋,常米,王经纬,王丛.  激光与红外. 2012(08)



本文编号：3465279