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半导体器件的1/f噪声检测方法理论与研究

发布时间:2021-11-01 05:45
  半导体器件作为各种电子设备最基本的组成部分,其质量的好坏、稳定性的高低都直接影响着整个电子设备的稳定性和安全性,尤其在航天与核电等高技术、高成本、高风险领域,有质量缺陷的半导体器件一旦出现问题,可能会导致无法挽回的灾难,造成巨大的经济损失甚至人员的伤亡。随着对可靠性要求的不断提高,如何准确的检测出半导体器件的优劣称为了一项具有重要理论与实际意义的问题,也是众多学者正在深入研究的一个领域。1/f噪声是衡量半导体器件质量的重要指标之一,本文以稳压二极管为实验对象,在现有半导体器件可靠性分析方法的基础上,提出了几种新的更为稳定的低频噪声分析方法,能较为准确的估计出1/f噪声参数,并搭建了一套软、硬件测试系统,为半导体器件的可靠性评估提供了理论支撑与物理实现。具体研究内容如下:1)首先阐明半导体噪声的种类及其产生机理,尤其是由半导体本身质量缺陷所引起噪声的特性,明确半导体元器件低频噪声主要是1/f噪声与其质量、可靠性间的关系。2)搭建可以测试半导体器件低频噪声的硬件平台,做到在测量半导体内部噪声时尽可能的避免外界和设备内部的干扰;并用Labview软件开发一套对应的1/f噪声参数估计软件系统,... 

【文章来源】:吉林大学吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】:75 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

半导体器件的1/f噪声检测方法理论与研究


半导体器件内部噪声分类(有色噪声)

互谱,测量法,前置放大器,放大器


图 2.2 互谱测量法图中前放 A 和 B 分别采用干电池独立供电,这样两个放大器产生的噪声是互独立的。设通过前放 A 和 B 的实际信号为:( ) ( ) ( )a a ay t x t w t·································(2.1)( ) ( ) ( )b b by t x t w t·································(2.2)中, ( )ax t 、 ( )bx t 分别为经过放大器放大后的 A、B 通道输入电压, ( )aw t 、 ( )bw t别为放大器产生的零均值有色噪声。上面已经提到, 、 相互独立,因此有:[ ( )] 0[ ( )] 0aE w tE w t ··································(2.3)

示意图,屏蔽箱,前置放大器,示意图


图 2.3 屏蔽箱与前置放大器接地示意图地技术系统中经常会遇到由地线引起的干扰,这种干扰在微弱信出。如果系统中各种信号电平存在公共地线就会产生寄生信号耦合到输入端,后果严重。因此接地技术的选择非常可靠性的保障。系统中,存在信号地、屏蔽壳体地以及电源地三种。接地类:单点接地、多点接地以及浮地。单点接地顾名思义,点都连接到接地平面同一个点上,布线对元件不会产生太率不大于 1MHz 的低频电路中。多点接地即是将系统中各自最近的接地平面上,这种方法会因为接地点的电位不相造成干扰,通常应用在频率大于 10MHz 的高频电路中。

【参考文献】:
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本文编号:3469615

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