GaN HEMT器件结温在线测量方法的研究与应用

发布时间：2021-11-01 22:56

　　伴随着人工智能和现代工业的飞速崛起,半导体行业得以长足发展。根据摩尔定律及行业趋势,功率半导体分立器件及集成模块向着小尺寸、高集成和强耐压的方向不断发展,单位面积内器件承受更大功耗和温升,以GaN、SiC材料为代表的第三代半导体材料受到了越来越广泛地关注。相比于第一、二代半导体材料,GaN材料具有更宽的禁带宽度,相应的本征激发温度更高,在抵抗高温和高压方面拥有天然的优势,GaN基HEMT器件在射频、抗高温及耐高压等方面的出色特性保证了其广阔的发展前景。然而,在高频开关过程中引入的动态功率损耗和大电流、强电压条件下的大功率工况引发HEMT器件内部结温上升,导致电学性能退化和热失效率增加等问题,制约了器件的长期使用可靠性。温度是衡量器件使用可靠性的重要指标,实时监控器件结温变化情况能够为工程技术人员提供客观判据,并可以预防由于结温过高导致的烧毁问题,对保护器件和电路的长期可靠工作具有重要的帮助。对此,本文从以下几个方面进行了相关研究工作:一、以电学测温方法为基础,根据HEMT器件栅极反偏漏电流的温度特性,提出一种以栅极反偏漏电流为温敏参数的结温测试方法。文章对反偏电流的组分进行了理论分析,... 

【文章来源】：北京工业大学北京市 211工程院校

【文章页数】：68 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

HEMT器件及其匹配电路

北京工业大学工程硕士专业学位论文温敏特性的研究对 HEMT 器件肖特基栅极结构的电流组成现栅源反偏电流的不同组份都与温度存在单以成为温敏参数的基础。利用 Agilent 半导H40010 的 HEMT 器件进行栅源电流信号测为 0V，在不同温度环境条件下进行反复测如下图所示：

恒温测试环境——温箱Fig3-2Constanttemperaturetestenvironment--thermostat

【参考文献】：
期刊论文
[1]距离对红外热像仪测温精度的影响及误差修正[J]. 张勇,王新赛,贺明.  红外. 2011(02)
[2]红外热像仪测温技术发展综述[J]. 孙晓刚,李云红.  激光与红外. 2008(02)
[3]调制掺杂对AlGaN/GaN HEMT材料电学性能的影响[J]. 许敏,袁凤坡,陈国鹰,李冬梅,尹甲运,冯志宏.  半导体技术. 2007(03)



本文编号：3470842