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宽范围隔离型双向SiC DC/DC变换器设计

发布时间:2021-11-07 14:49
  DC/DC变换器广泛应用于生产生活的各个领域,比如新能源发电领域、电动汽车领域和轨道交通领域。上述场合既要求DC/DC变换器能够承受比较宽的输入电压,还需要DC/DC变换器保证其高效率。为了满足这些要求,本文基于移相式隔离双向DC/DC变换器设计了新型两级式隔离双向DC/DC变换器,并使用宽禁带器件SiC MOSFET作为主要功率开关器件。以此为基础,重点研究了 SiC MOSFET的应用、宽范围隔离双向DC/DC变换器的拓扑和针对变压器漏感引起的开关管过压抑制等问题。本文首先对比了 SiC MOSFET与Si MOSFET的静态特性、动态特性和其一些重要的参数,针对SiC MOSFET与Si MOSFET的部分不同特性,分析了 SiC MOSFET对驱动的要求,并针对本文所使用的SiC MOSFET,设计了其驱动电路,之后进行双脉冲测试,验证了本文所使用的驱动能够满足设计要求。其次,针对系统宽范围参数的要求,选择采用两级拓扑来应对这种特殊工况,之后以开关管电压电流应力为切入点,对比常用功率拓扑,确定了以Buck/Boost变换器作为输入,隔离双向DC/DC变换器作为输出的两级变换器拓... 

【文章来源】:北京交通大学北京市 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】:100 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

宽范围隔离型双向SiC DC/DC变换器设计


图1-3?SiCMOSFET模块实物图??Fig.?1-3?Physical?Diagram?of?SiC?MOSFET?Module??

输出特性曲线,输出特性曲线,电容,电压控制型


Fig.?2-2?Transfer?characteristics?curve?of?SiC?MOSFET?and?Si?MOSFET[34'351??2.1.2动态特性??MOSFET是电压控制型器件,开关通过栅极电压控制,图2-3是MOSFET不??考虑内部寄生电感时的等效开关特性参数模型,由图可以看出MOSFET的内部寄??生电容包括栅源之间的电容CGS、漏源之间的电容CDS、栅漏之间的电容CGD

波形,开关过程,开通过程,开关模型


D??Cgd??HI^J?丄???lq?和』??HI—— ̄??〇3S??I丨S??图2-3?MOSFET等效开关模型??Fig.?2-3?MOSFET?equivalent?switch?model??用的角度出发,假定开关过程每个阶段的电容值恒定,且跨—次开关周期的电压电流波形如图2-4所示,其中FG为驱动信其为理想方波,定义FGS为MOSFET栅源电压,FDS为漏源电。MOSFET开关过程各分为4个阶段,开通过程经历时间为/0-/时间为心丨9,导通时间为/4-?5。具体分析如下。??!!?S?j??

【参考文献】:
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本文编号:3482047

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