位错类型对GaN基蓝光LED光效衰减效应的影响

发布时间：2021-11-08 23:46

　　蓝光LED的光效衰减可以使器件在高电流密度下的发光效率急剧降低。研究了GaN材料中不同位错类型对蓝光LED光效衰减效应的影响。通过控制物理气相沉积AlN缓冲层厚度及GaN缓冲层的有无,得到了两组不同螺位错和刃位错密度的GaN样品,其中螺位错密度为1.5×10⁷～1×10⁸ cm^-2,而刃位错密度为2×10⁸～7×10⁸ cm^-2。LED芯片测试结果表明,外量子效率维持率随着螺位错密度的增加而提升,从46.1%增加到54.9%;但随着刃位错密度的增加而降低。刃位错是非辐射复合中心,会加剧高电流密度下的光效衰减效应;而螺位错不是明显的非辐射复合中心,较高的螺位错密度可以改善LED的光效衰减效应。因此可以通过适当增加螺位错密度来提升LED的外量子效率。 

【文章来源】：半导体技术. 2020,45(08)北大核心

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
0 引言
1 实验
2 结果与讨论
    2.1 不同缓冲层结构的位错分析
    2.2 不同缓冲层结构的光效衰减分析
    2.3 光效衰减与位错类型的关系分析
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]溅射AlN技术对GaN基LED性能的影响[J]. 张洁.  半导体技术. 2017(09)
[2]抑制GaN基LED发光效率衰减的研究进展[J]. 曾梦麟,周佐华,陈康,刘为刚,徐迪,余小明.  材料导报. 2012(21)



本文编号：3484244