+1/-1相位掩模板和532nm激光下低损耗As 2 S 3 硫系光纤布喇格光栅的制备

发布时间：2021-11-11 23:34

　　采用改进型Sagnac干涉光栅写入系统,利用532nm准带隙光曝光源和带+1/-1衍射级的相位掩模板,在两种不同直径的低损耗As₂S₃硫系玻璃光纤上刻写布喇格光栅,并研究曝光期间光栅的动态特性.实验表明,As₂S₃光纤布喇格光栅透射峰值随光纤直径的减小而增强;在曝光过程中,布喇格波长先是较快地向短波长方向移动,随着曝光时间的延长,布喇格波长缓慢地向长波长方向回复.曝光时间为800¹ 000s时,在包层直径为140μm的As₂S₃光纤上获得质量良好的布喇格光栅光谱,其透射峰值可达-2.6dB,带宽为0.37nm.对As₂S₃硫系光纤纤芯的光敏性分析结果表明,折射率调制幅度和平均折射率变化随曝光时间分别可达到10-4和10-3数量级. 

【文章来源】：光子学报. 2017,46(07)北大核心EICSCD

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
0 引言
1 实验装置及原理
2 实验结果与分析
    2.1 光纤直径对布喇格光栅透过率的影响
    2.2 曝光期间布喇格波长位移
    2.3 曝光期间布喇格波长的透射峰值变化
    2.4 曝光期间布喇格波长的折射率调制幅度和平均折射率变化
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
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[3]Ge20Sb15Se65硫系玻璃光子晶体光纤的中红外色散特性[J]. 刘永兴,张培晴,许银生,戴世勋,王训四,徐铁峰,聂秋华.  光子学报. 2012(05)
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本文编号：3489758