InGaP/GaAs HBT器件多物理量建模研究

发布时间：2021-11-12 04:20

　　随着无线通信和射频技术的发展,集成电路设计对器件特性的要求也逐渐提高,特别是在微波射频等高频电路设计领域。III-V族化合物半导体器件由于有较好的高频特性而被重点研究,其中,InGaP/GaAs异质结双极型晶体管（HBT）与其他化合物半导体相比,具有更高的禁带宽度,更大的电流增益,更高的可靠性,以及更好的温度稳定性等众多优势,非常适用于微波毫米波电路设计,因此本文对其模型进入深入研究,并建立可以实际应用的较为准确可靠的模型。本文从InGaP/GaAs HBT的原理和特性入手,在分析其结构的基础上,建立其小信号模型,根据小信号模型等效电路,使用直接提取参数的方法,对小信号模型参数进行了提取。随后分析HBT的几个重要的大信号模型,并从其模型描述入手,对比分析各模型在低频及高频的优劣势,在此基础上,着重介绍了Agilent HBT大信号模型,并对其参数进行分析与分类。本文采用较为准确的测试仪器进行小信号和大信号测试,然后将器件的工艺参数引入Agilent HBT模型,修改并进行参数调节,采用将测试和模型仿真结果对比的方法,对模型参数进行不断修改,得出较准确的模型,提高器件模型对工艺流程以及工... 

【文章来源】：西安电子科技大学陕西省 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：93 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

Forward不同尺寸拟合结果

西安电子科技大学硕士学位论文从拟合图可以看出，在工作电压 VBE 变化时，得到的集电极电流和基极电流型和测试结果拟合度较好，并且得到的电流放大系数也有很好的拟合度，说明正流参数的调整结果较为准确。在随 Vc 变化测试集电极电流和基极电流的到的反线中，也得到了较高的拟合度曲线。

图4.7 Ic-vc 不同尺寸拟合结果图4.8 不同温度下 Ic-Vc 拟合结果三）电容 Cbc 和 Cbe响 Cbc 和 Cbe 电容的参数及含义如下表：


本文编号：3490155