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pHEMT通用导航低噪声放大器设计

发布时间:2017-05-07 14:17

  本文关键词:pHEMT通用导航低噪声放大器设计,由笔耕文化传播整理发布。


【摘要】:随着无线通信技术的发展,全球导航卫星系统已经成为全球发展最快的信息产业之一。全球卫星导航系统可以提供全天候、全空域、连续性及实时性的定位、导航和授时服务。具有非常重要的军事意义和社会经济价值,在过去十几年中,全球导航卫星系统成为了世界各国争相发展的技术焦点。导航接收机系统作为全球导航卫星系统的主要组成部分,其性能的优劣直接影响到整个全球导航卫星系统能效的发挥。本文详细介绍了一款应用于通用导航接收机系统的射频前端低噪声放大器芯片的设计。首先从导航接收机射频前端应用背景出发,对比了两种当前射频前端低噪声放大器芯片所采用的工艺,调研了几种现有商用市场的产品。然后基于噪声模型的理论分析,论述了低噪声放大器的主要性能参数,包括噪声系数、S参数及线性度等相关指标。并探讨分析了几种基本的低噪声放大器拓扑结构的性能。根据导航接收机的指标需求和干扰分析,基于0.25μm栅长的pHEMT工艺设计了一款集成声表面(SAW)滤波器的两级放大器架构的低噪声放大器,包括源极反馈的共源共栅的放大器设计,带温度补偿的偏置电路设计,源极反馈的共源放大器设计,同时针对噪声系数、增益及线性度等指标分别进行优化设计,本架构的设计可提供足够低噪声系数及高增益的同时抑制带外的干扰信号。最后完成了整体低噪声放大器芯片的基板设计和调试优化。实际测试结果表明,本设计低噪声放大器芯片在1580MHz-1620MHz频段内,小信号增益可达到30dB以上;噪声系数可低至0.7dB以下;输入三阶交调点达到-lOdBm;输入回波损耗保持在-10dB以下;并且带外抑制达到-35dBc以下;整体功耗电流保持在10mA。满足了全部预设指标的需求,并在一些指标上超过了现有商用市场上的产品。
【关键词】:导航接收机 射频前端 低噪声放大器 噪声系数 增益 线性度
【学位授予单位】:浙江大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2016
【分类号】:TN722.3;TN967.1
【目录】:
  • 致谢4-5
  • 摘要5-6
  • Abstract6-11
  • 第1章 绪论11-18
  • 1.1 研究背景11-12
  • 1.2 研究意义及现状分析12-16
  • 1.2.1 导航接收机前端应用简析12-13
  • 1.2.2 低噪声放大器芯片工艺介绍13-15
  • 1.2.3 通用导航低噪声放大器芯片现状分析15-16
  • 1.3 研究内容及组织结构16-18
  • 1.3.1 研究内容16
  • 1.3.2 本文组织结构16-18
  • 第2章 低噪声放大器基本设计理论18-43
  • 2.1 噪声模型及理论分析18-27
  • 2.1.1 噪声类型19-20
  • 2.1.2 噪声系数20-22
  • 2.1.3 线性网络二端口噪声模型分析22-24
  • 2.1.4 pHEMT二端口网络噪声分析24-27
  • 2.2 低噪声放大器的主要性能指标27-37
  • 2.2.1 增益27-28
  • 2.2.2 稳定性28-29
  • 2.2.3 输入端口阻抗匹配29-30
  • 2.2.4 线性度30-35
  • 2.2.5 灵敏度35
  • 2.2.6 动态范围35-37
  • 2.3 低噪声放大器基本拓扑结构37-43
  • 2.3.1 输入端并联电阻的共源放大器37-39
  • 2.3.2 电阻反馈共源放大器39-41
  • 2.3.3 共栅放大器41-43
  • 第3章 集成SAW滤波器的低噪声放大器芯片设计与仿真43-75
  • 3.1 设计方案及架构分析43-48
  • 3.1.1 集成SAW滤波器的低噪声放大器芯片设计目标44-45
  • 3.1.2 接收机系统干扰分析45-47
  • 3.1.3 集成SAW滤波器的低噪声放大器设计架构47-48
  • 3.2 集成SAW滤波器的低噪声放大器芯片单级电路设计48-69
  • 3.2.1 管芯拓扑架构设计48-58
  • 3.2.2 静态工作点仿真分析58-60
  • 3.2.3 偏置电路设计及仿真60-62
  • 3.2.4 小信号S参数匹配及噪声匹配网络设计及仿真62-67
  • 3.2.5 线性度仿真及分析67-69
  • 3.3 集成SAW滤波器的低噪声放大器芯片总体电路设计69-75
  • 3.3.1 完整级联电路设计69-71
  • 3.3.2 总体电路小信号S参数匹配及噪声匹配网络设计及仿真71-72
  • 3.3.3 线性度仿真及分析72-75
  • 第4章 集成SAW滤波器的低噪声放大器芯片SIP封装及测试75-94
  • 4.1 芯片基板封装设计75-79
  • 4.1.1 SIP(System In Package)封装技术75-76
  • 4.1.2 芯片基板设计76-79
  • 4.2 测试方法及装配79-84
  • 4.2.1 噪声系数测试方法79-82
  • 4.2.2 测试装配82-84
  • 4.3 性能参数测试与调试84-92
  • 4.3.1 S参数调试84-88
  • 4.3.2 噪声系数调试88-89
  • 4.3.3 线性度调试89-92
  • 4.4 测试总结92-94
  • 第5章 总结和展望94-96
  • 5.1 论文研究总结94-95
  • 5.2 工作展望95-96
  • 参考文献96-101
  • 作者简介101
  • 发表的学术论文101

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本文编号:350039

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