碳基纳电子的新进展(续)

发布时间：2021-11-26 22:21

　　<正>4 GFET MMIC大面积的CVD和外延石墨烯材料以及RF GFET的进展为石墨烯单片集成电路（MMIC）的发展奠定了材料和器件基础,由于石墨烯器件具有特有的双极性能、高电子迁移率、二维电子气、弹道输运以及独特的电子和机械性能等特性,目前石墨烯电子学在混频器、放大器、THz探测器、弹道整流器和柔性电路等五方面已有长足进步。 

【文章来源】：微纳电子技术. 2020,57(12)北大核心

【文章页数】：14 页

【文章目录】：
4 GFET MMIC
5 GNR基逻辑电路
6 结语


【参考文献】：
期刊论文
[1]2020年之后的电子学:碳基电子学的机遇和挑战[J]. 彭练矛.  科学. 2016(02)



本文编号：3521026