基于0.18um和65nm商用CMOS工艺的热载流子注入效应研究
发布时间：2021-12-09 15:33
互补型金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor,简写为CMOS）是集成电路行业的基石,其可靠性问题一直都是业界关注的焦点。MOS器件工艺进入深亚微米节点之后,栅氧厚度和沟道长度大幅度减小,而器件的工作电压却没有等比例缩小,使得沟道区横向与纵向电场变得更大,热载流子注入问题变得越来越严重。其中,由于电子迁移率较空穴更高,NMOS器件的热载流子注入效应较PMOS器件也更严重。基于以上背景,本文围绕NMOS器件的热载流子注入效应进行研究。本文基于业界大规模使用的0.18μm CMOS工艺以及65nm CMOS工艺设计了热载流子注入效应测试结构;基于设计制造完成的测试结构,以I-V特性测试法为基础,设置了热载流子注入测试流程,搭建测试平台,E完成热载流子注入效应的自动化测试;经过试验验证,测试平台稳定可靠,能够完整地完成NMOS器件热载流子注入效应的试验研究。对于0.18μm工艺NMOS器件,研究了热载流子注入效应对器件Id-Vg曲线,阈值电压,饱和漏极电流,跨导的影响。进行了NMOS器件热载流...
【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：82 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
NMOS器件衬底电流随栅压变化曲线
衬底接触结构版图
器件与PAD连接版图
【参考文献】：
期刊论文
[1]总剂量辐照与热载流子协同效应特性分析[J]. 付兴中,何玉娟,郑婕,章晓文. 电子产品可靠性与环境试验. 2017(06)
[2]总剂量辐照对热载流子效应的影响研究[J]. 何玉娟,章晓文,刘远. 物理学报. 2016(24)
[3]STI场区加固NMOS器件总剂量效应[J]. 谢儒彬,吴建伟,陈海波,李艳艳,洪根深. 太赫兹科学与电子信息学报. 2016(05)
[4]总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应[J]. 周航,郑齐文,崔江维,余学峰,郭旗,任迪远,余德昭,苏丹丹. 物理学报. 2016(09)
[5]总剂量辐射加固VDMOS器件研究[J]. 习毓,刘文辉,闫磊. 黑龙江科技信息. 2015(19)
[6]65nm工艺下MOSFET阈值电压提取方法研究[J]. 薛峰. 赤峰学院学报(自然科学版). 2015(07)
[7]高漏压低栅压条件下N型MOSFET热载流子注入效应研究[J]. 单文光,宋永梁,许晓锋,吴启熙,赵永,简维廷. 中国集成电路. 2015(03)
[8]电路级热载流子效应仿真研究[J]. 高国平,曹燕杰,周晓彬,陈菊. 电子与封装. 2014(04)
[9]辐照偏置影响深亚微米MOS器件总剂量效应的理论研究[J]. 丁李利,郭红霞,陈伟,范如玉,王忠明,闫逸华,陈雷,孙华波. 原子能科学技术. 2013(05)
[10]CMOS电路总剂量效应最劣偏置甄别[J]. 丁李利,郭红霞,王忠明,陈伟,范如玉. 强激光与粒子束. 2012(11)
硕士论文
[1]基于SystemC的微纳卫星星载计算机建模和故障注入研究[D]. 钱晨.南京理工大学 2017
[2]功率STI-LDMOS器件热载流子退化机理与寿命模型研究[D]. 周雷雷.东南大学 2016
[3]基于测试结构的CMOS工艺可靠性评价方法研究[D]. 刘洋.电子科技大学 2016
[4]纳米MOS器件TID与HCI效应关联分析[D]. 高立娜.西安电子科技大学 2015
[5]65nm工艺下MOSFET的总剂量辐照效应及加固研究[D]. 张丹.西安电子科技大学 2015
[6]封闭形栅NMOS晶体管的设计与器件特性研究[D]. 杨变霞.电子科技大学 2015
[7]RF LDMOS器件设计优化及热载流子效应研究[D]. 韩鹏宇.电子科技大学 2014
[8]SOI器件的辐照效应与加固电路设计技术研究[D]. 王志.西安电子科技大学 2014
[9]基于65纳米工艺的MOS器件和环形振荡器电路的应力退化特性[D]. 彭嘉.复旦大学 2013
[10]NMOSFET热载流子效应可靠性及寿命研究[D]. 时丙才.中国科学技术大学 2011
本文编号：3530880
【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：82 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
NMOS器件衬底电流随栅压变化曲线
衬底接触结构版图
器件与PAD连接版图
【参考文献】：
期刊论文
[1]总剂量辐照与热载流子协同效应特性分析[J]. 付兴中,何玉娟,郑婕,章晓文. 电子产品可靠性与环境试验. 2017(06)
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[3]STI场区加固NMOS器件总剂量效应[J]. 谢儒彬,吴建伟,陈海波,李艳艳,洪根深. 太赫兹科学与电子信息学报. 2016(05)
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[5]总剂量辐射加固VDMOS器件研究[J]. 习毓,刘文辉,闫磊. 黑龙江科技信息. 2015(19)
[6]65nm工艺下MOSFET阈值电压提取方法研究[J]. 薛峰. 赤峰学院学报(自然科学版). 2015(07)
[7]高漏压低栅压条件下N型MOSFET热载流子注入效应研究[J]. 单文光,宋永梁,许晓锋,吴启熙,赵永,简维廷. 中国集成电路. 2015(03)
[8]电路级热载流子效应仿真研究[J]. 高国平,曹燕杰,周晓彬,陈菊. 电子与封装. 2014(04)
[9]辐照偏置影响深亚微米MOS器件总剂量效应的理论研究[J]. 丁李利,郭红霞,陈伟,范如玉,王忠明,闫逸华,陈雷,孙华波. 原子能科学技术. 2013(05)
[10]CMOS电路总剂量效应最劣偏置甄别[J]. 丁李利,郭红霞,王忠明,陈伟,范如玉. 强激光与粒子束. 2012(11)
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[1]基于SystemC的微纳卫星星载计算机建模和故障注入研究[D]. 钱晨.南京理工大学 2017
[2]功率STI-LDMOS器件热载流子退化机理与寿命模型研究[D]. 周雷雷.东南大学 2016
[3]基于测试结构的CMOS工艺可靠性评价方法研究[D]. 刘洋.电子科技大学 2016
[4]纳米MOS器件TID与HCI效应关联分析[D]. 高立娜.西安电子科技大学 2015
[5]65nm工艺下MOSFET的总剂量辐照效应及加固研究[D]. 张丹.西安电子科技大学 2015
[6]封闭形栅NMOS晶体管的设计与器件特性研究[D]. 杨变霞.电子科技大学 2015
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[9]基于65纳米工艺的MOS器件和环形振荡器电路的应力退化特性[D]. 彭嘉.复旦大学 2013
[10]NMOSFET热载流子效应可靠性及寿命研究[D]. 时丙才.中国科学技术大学 2011
本文编号：3530880
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