宇航VDMOS器件单粒子辐射加固技术综述

发布时间：2021-12-25 04:12

　　宇航用功率VDMOS器件是航天器电源系统中实现功率转换的核心元器件之一。针对航天器对宇航用功率VDMOS器件的发展需求,在总结国内外宇航用功率VDMOS器件产品及技术发展现状的基础上,对比分析了宇航用功率VDMOS器件在技术水平、系列化程度、长期可靠性和系统应用等方面存在的主要差距。对我国宇航用功率VDMOS器件的主要任务进行了展望。 

【文章来源】：微电子学. 2020,50(03)北大核心

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【部分图文】：

几种粒子LET值与入射深度的关系曲线[16]

当粒子入射到VDMOS芯片表面的能量较低时,粒子LET值分布在图1所示的布拉格峰的右边。随着粒子入射深度增加,LET值急剧减小。这类粒子的能量较低,LET值与入射深度的关系遵从图1所示布拉格峰的右边曲线。这一认识对评价宇航用VDMOS器件的抗单粒子辐射能力至关重要。不同粒子沿入射路径产生附加电子-空穴对的密度分布如图2所示。可知,要使得粒子对器件的辐射损伤最大,外延层中产生附加电子-空穴对的数目需要最多。IR公司R5、R6产品的单粒子特性曲线分别如图3和图4所示。图3 IR公司R5产品的单粒子特性曲线[18]

IR公司R5产品的单粒子特性曲线[18]

【参考文献】：
期刊论文
[1]Simulation study on single event burnout in linear doping buffer layer engineered power VDMOSFET[J]. 贾云鹏,苏洪源,金锐,胡冬青,吴郁.  Journal of Semiconductors. 2016(02)
[2]基于锎源的N沟道VDMOS器件单粒子效应研究[J]. 陈佳,乔哲,唐昭焕,王斌,谭开洲.  微电子学. 2014(01)
[3]星用功率VDMOS器件SEGR效应研究[J]. 王立新,高博,刘刚,韩郑生,张彦飞,宋李梅,吴海舟.  核技术. 2012(06)
[4]A novel structure for improving the SEGR of a VDMOS[J]. 唐昭焕,胡刚毅,陈光炳,谭开洲,刘勇,罗俊,徐学良.  半导体学报. 2012(04)



本文编号：3551765