InGaN/GaN多量子阱电池的垒层结构优化及其光学特性调控

发布时间：2022-01-04 12:18

　　InGaN基量子阱作为太阳电池器件的有源区时,垒层厚度设计以及实际生长对其光学特性的影响极为重要。采用金属有机化学气相沉积（MOVCD）技术,在蓝宝石衬底上外延生长了垒层厚度较厚的InGaN/GaN多量子阱,使用高分辨X射线衍射和变温光致发光谱研究了垒层厚度对InGaN多量子阱太阳电池结构的界面质量、量子限制效应及其光学特性的影响。较厚垒层的InGaN/GaN多量子阱的周期重复性和界面品质较好,这可能与垒层较薄时对量子阱的生长影响有关。同时,厚垒层InGaN/GaN多量子阱的光致发光光谱峰位随温度升高呈现更为明显的"S"形（红移-蓝移-红移）变化,表现出更强的局域化程度和更高的内量子效率。 

【文章来源】：半导体光电. 2017,38(05)北大核心

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【文章目录】：
0 引言
1 实验
2 结果与讨论
3 结论



本文编号：3568323