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金属氧化物纳米纤维场效应晶体管的制备及电学性能调控

发布时间:2022-01-05 01:46
  纳米纤维(NFs)由于其独特的形貌结构,具有大比表面积、固定电子传输路径等优点,被广泛应用于光电、储能、电子等领域。静电纺丝技术由于在生产过程中不需要复杂的生产环境、可大面积制备等优点,被广泛用于制备各种材料的一维纳米纤维。本文基于静电纺丝技术,以提高场效应晶体管(FET)电学性能和降低成本为目的,制备出高性能、低功耗的场效应晶体管。本文主要研究内容和结果如下:(1)我们利用静电纺丝工艺制备了Al、Ga、Cr大比例掺杂的In2O3纳米纤维(NFs)场效应晶体管。Al、Ga、Cr元素的大比例掺杂既可以提高器件的电学性能,又能降低In的使用量。在最佳掺杂浓度10 mol%时,器件具有优异的电学性能:开关电流比~108,开态电流~10-4 A,阈值电压<6 V。在用高κ介电材料Al2O3代替SiO2后,降低了器件的功耗,操作电压由30 V降低为3 V,同时电子迁移率由2 cm2V-1s

【文章来源】:青岛大学山东省

【文章页数】:47 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

金属氧化物纳米纤维场效应晶体管的制备及电学性能调控


静电纺丝装置示意图[12]

金属氧化物纳米纤维场效应晶体管的制备及电学性能调控


(a)、(b)、(c)分别是不同掺杂量的Al-In2O

金属氧化物纳米纤维场效应晶体管的制备及电学性能调控


(a)In2O3(b)5mol%Al-In2O3(c)10mol%Al-In2O3(d)15mol%Al-In2O3XPS表征

【参考文献】:
期刊论文
[1]Flexible Conductive Anodes Based on 3D Hierarchical Sn/NS?CNFs@rGO Network for Sodium?Ion Batteries[J]. Linqu Luo,Jianjun Song,Longfei Song,Hongchao Zhang,Yicheng Bi,Lei Liu,Longwei Yin,Fengyun Wang,Guoxiu Wang.  Nano-Micro Letters. 2019(04)
[2]基于ZnO活性层薄膜晶体管的研究进展[J]. 许洪华,陈跃宁,袁广才.  沈阳师范大学学报(自然科学版). 2007(01)

硕士论文
[1]TiZnSnO非晶氧化物半导体薄膜制备及应用研究[D]. 孙汝杰.浙江大学 2015



本文编号:3569484

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