基于HBT工艺的高功率低相位噪声QVCO

发布时间：2022-01-06 23:17

　　基于Sanan 2μm GaAs HBT工艺,提出了一种差分Colpitts结构的高功率低相位噪声正交压控振荡器（QVCO）。该QVCO采用四只环形连接的二极管,通过二次谐波反相作用,迫使压控振荡器基波正交。该QVCO比传统串并联晶体管耦合电路具有更高的输出功率和更低的相位噪声。仿真结果表明,该QVCO的调谐范围为12.98～14.05 GHz。振荡频率为13.51 GHz时,输出信号功率为12.557 dBm。相位噪声为-117.795 dBc/Hz@1 MHz。 

【文章来源】：微电子学. 2020,50(01)北大核心

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【部分图文】：

差分螺旋电感

螺旋电感的电感值与频率的关系曲线

螺旋电感的Q值与频率的关系曲线


本文编号：3573346