FH0189封装工艺改进及其可靠性研究

发布时间：2022-01-12 03:16

　　电子系统和子系统封装的发展趋势是不断减小尺寸和提高性能,这种趋势可以从半导体集成度越来越高和混合集成电路及多芯片模块的使用越来越广泛中看出。在较小的封装体中放置更多的功能导致了更高的热密度,因此要求在设计中优先考虑热管理以便维持系统的性能和可靠性。在此发展趋势下,作者所在公司承接了许多混合集成电路和多芯片模块的研制项目,由于具有高的封装密度,对封装的热管理和热设计提出了更高的要求。FH0189为作者所在公司经典混合集成电路产品,在各领域有着广泛应用。以FH0189为研究对象,研究其热可靠性,不仅有利于提高该类产品的合格率,也有助于拓展新的封装材料、封装工艺、筛选试验和失效分析技术等的研究,为科研新品的热设计和热管理提供有价值的参考和技术方法。本论文对FH0189热可靠性及封装工艺改进进行研究。主要内容及研究结果为:1.分析研究FH0189的电路原理、封装材料和封装结构,归纳微电子器件失效分析常用的技术和方法,为FH0189热可靠性分析提供了一条可行的技术路线,即先后进行电学测试、非破坏性分析和破坏性分析。2.研究FH0189热失效的典型案例,通过电学测试的功能测试中发现器件在环境温度1... 

【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：86 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

FH0189的TO-3封装互连图

电子科技大学硕士学位论文6图2-2FH0189电路框图（1/2）电路共由六部分组成，分别是输入级、中间级、热检测、过热保护、偏置及限流保护、输出级[4]。对应于电路的组成是：（a）输入级：由T1～T6、R1～R5、D1、I1～I4组成；（b）中间级：T9、T10、I5、I6、C组成；（c）热检测：T8、D2组成；（d）热保护、偏置及限流保护：T11、T12、R6、I5组成；（e）输出级：T13～T16、R6～R10组成。图2-3FH0189电原理图（1/2）各部分的工作原理简述如下：输入级：T1～T4均采用FET（结型场效应管）结构，信号从T4漏极跟随输出，完成了信号差分输入和单端输出的转换，并且实现了第一级的电平位移。采用FET

电子科技大学硕士学位论文6图2-2FH0189电路框图（1/2）电路共由六部分组成，分别是输入级、中间级、热检测、过热保护、偏置及限流保护、输出级[4]。对应于电路的组成是：（a）输入级：由T1～T6、R1～R5、D1、I1～I4组成；（b）中间级：T9、T10、I5、I6、C组成；（c）热检测：T8、D2组成；（d）热保护、偏置及限流保护：T11、T12、R6、I5组成；（e）输出级：T13～T16、R6～R10组成。图2-3FH0189电原理图（1/2）各部分的工作原理简述如下：输入级：T1～T4均采用FET（结型场效应管）结构，信号从T4漏极跟随输出，完成了信号差分输入和单端输出的转换，并且实现了第一级的电平位移。采用FET

【参考文献】：
期刊论文
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[5]BGA封装器件焊点缺陷X-射线检测法[J]. 胡永芳,徐玮,禹胜林,薛松柏.  电子工艺技术. 2005(06)
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硕士论文
[1]基于结构函数的IGBT芯片焊接质量分析与研究[D]. 许炜.华南理工大学 2016
[2]IGBT器件热可靠性的研究[D]. 董少华.山东大学 2014
[3]军用集成电路典型失效模式分析与改进措施研究[D]. 鲍秀峰.南京理工大学 2006



本文编号：3583996