SiC电机驱动系统传导电磁干扰建模及预测

发布时间：2022-01-15 03:12

　　在基于碳化硅（SiC）功率器件的电机驱动系统中,由于SiC器件较高的dv/dt、di/dt,产生了不可忽略的振荡,传统的传导电磁干扰（EMI）电路模型不再适用。该文提出一种SiC电机驱动系统的传导EMI等效电路建模及预测方法。首先,建立考虑寄生参数的SiC电机驱动系统的线性时不变等效电路,通过分析,证明准确估计传导干扰水平必须同时计算作为干扰源的功率管电流、电压所产生的干扰;然后,建立差模、共模干扰等效电路模型,进行各部件等效电路模型的建模并根据实验所用电机驱动系统进行参数计算;最后,根据等效电路,对电源端口处的干扰频谱进行预测,并与EMI接收机的实测结果进行对比,验证了所建模型的准确性,并且验证了该方法在高频段提高差模干扰计算结果的准确性。 

【文章来源】：电工技术学报. 2020,35(22)北大核心EICSCD

【文章页数】：13 页

【部分图文】：

测试装置结构

为了建立Si C电机驱动系统的EMI频域模型，根据电路替代定理，将图1中S1～S6等效网络中的开关用电压源或电流源替代，为同时反映Si C芯片承载的母线电压和负载电流，将S1、S3、S5等效网络中的开关用电流源等效，将S2、S4、S6等效网络中的开关用电压源等效。这里的等效电流源、电压源均为具有上升、下降斜率的脉冲序列。经过上述替代和等效，三相逆变电路各支路的电压、电流特性保持不变[25-26]。A相桥臂替代后的等效电路模型，如图3所示。

经过上述替代和等效，三相逆变电路各支路的电压、电流特性保持不变[25-26]。A相桥臂替代后的等效电路模型，如图3所示。同理，B、C相桥臂的等效电路与A相的类似。替代后的Si C电机驱动系统的等效电路为线性时不变等效电路，再根据电机驱动系统各部件的高频等效电路模型，可得如图4所示Si C电机驱动系统线性时不变等效电路。

【参考文献】：
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本文编号：3589787