GaAs/AlGaAs耦合双抛物量子阱中电子子带跃迁光吸收

发布时间：2022-01-22 20:53

　　本文构造了一种可在实验上实现的闪锌矿Al_xGa_1-xAs/Al_yGa_1-yAs耦合双抛物量子阱结构,重点考虑非对称情况,首先,利用有限差分法求解Schr?dinger方程,获得体系的电子态.进一步,采用密度矩阵理论求得电子在室温下三个子带间跃迁的光吸收系数及折射率变化,讨论其尺寸和三元混晶效应,并将对称与非对称抛物阱结构所得结果与方阱情形进行了对比.首先,简要介绍半导体量子阱相关研究进展,重点阐述耦合双量子阱电子子带间光吸收及折射率变化的研究历史和现状,并对相关问题在理论上的成果和存在的不足作了详细介绍.指出双抛物量子阱结构对电子子带间光吸收及折射率的调制作用.进而,从理论上详细地讨论该结构的阱宽、中间垒厚、组分、光强、弛豫时间及外加电场的变化对电子子带间光吸收及折射率变化的影响.计算结果表明:在抛物阱中,光吸收系数和折射率的峰值位置及大小对组分调节而成的势垒高度较为敏感.同时,还可得出,外加电场的增加导致光吸收峰值减小,在电子从基态跃迁至第一激发态和第二激发态过程中,电场对光吸收谱的蓝移起着重要作... 

【文章来源】：内蒙古大学内蒙古自治区 211工程院校

【文章页数】：33 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
ABSTRACT
第一章 绪论
    1.1 国内外相关研究进展
    1.2 论文内容安排
第二章 理论模型和计算
第三章 数值结果与讨论
    3.1 对称耦合双量子阱Al_xGa_(1-x)As/Al_yGa_(1-y)As光吸收及折射率变化
    3.2 非对称耦合双量子阱Al_xGa_(1-x)As/Al_yGa_(1-y)As光吸收及折射率变化
    3.3 结论
参考文献
致谢
攻读硕士学位期间完成的论文


【参考文献】：
期刊论文
[1]缓冲层对量子阱二能级系统中电子子带间跃迁光吸收的影响[J]. 李群,屈媛,班士良.  物理学报. 2017(07)
[2]Performance Improvement of GaN-Based Violet Laser Diodes[J]. 赵德刚,江德生,乐伶聪,杨静,陈平,刘宗顺,朱建军,张立群.  Chinese Physics Letters. 2017(01)
[3]Excitonic transitions in Be-doped GaAs/AlAs multiple quantum well[J]. 郑卫民,李素梅,丛伟艳,王爱芳,李斌,黄海北.  Chinese Physics B. 2016(04)
[4]纤锌矿结构ZnO/MgxZn1-xO量子阱中带间光吸收的尺寸效应和三元混晶效应[J]. 谷卓,班士良.  物理学报. 2014(10)

博士论文
[1]GaAs/AlGaAs量子阱材料微观结构与器件特性分析研究[D]. 胡小英.西安电子科技大学 2013
[2]应变纤锌矿量子阱中的电子态[D]. 朱俊.内蒙古大学 2012
[3]AlxGa1-xN/GaN双量子阱中子带间跃迁的研究[D]. 雷双瑛.北京大学 2006



本文编号：3602888