调控空穴注入实现高性能量子点电致发光器件
发布时间：2022-01-23 05:47
量子点由于其独特的物理化学特性,使其在量子点电致发光二极管（QLED）领域中受到了极高的关注。自1994年Alivisatos等报道QLED以来,人们在提升QLED性能上做出了很多努力。改善器件性能的工作主要包括如下两个方面。一是优化量子点发光材料,如制备核壳结构的量子点或选择合适的配体修饰量子点等;另一方面是优化器件结构,主要为根据能级排列及载流子迁移率来选择合适的电荷传输层以及对电荷传输层进行修饰,从而改善量子点中载流子的注入平衡,抑制量子点发光淬灭等。近期器件性能取得了突破性进展,有文献报道红绿蓝三种颜色QLED的亮度分别达到了35600 cd/m2,2614000 cd/m2,62600 cd/m2。虽然QLED的性能得到了飞速的提升,但是高性能QLED依旧依赖于含有镉元素的量子点作为发光层。镉是重金属元素,不仅会污染环境,而且还会危害人类的健康。所以开发制备高性能的无镉低毒量子点（例如ZnS,CuInS2,InP,AgInS2等）作为发光层的QLED是必要的。目前,无...
【文章来源】：吉林大学吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：53 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
1LCD，OLED，QLED结构示意图
图 1.2.1 常用量子点的发光波长示意图体 QDs 制备过程便捷，生产成本低廉，成膜工艺简单[1-4]。目前人们可以调控 QDs 的形貌及尺寸，提高量子产率。此外，由于 QDs 的特性，我们不改变材料的组分情况下得到不同的发光波长。基于以上的优点，QDs 在件中得到了广泛的研究。.2 量子点的种类着人们对 QDs 的深入研究和讨论，提出了核壳结构 QDs。核壳结构 QD少两种半导体材料组成的异质结。这种 QDs 可有效减少 QDs 核的表面陷键，抑制非辐射复合，提高 QDs 的发光效率，改善 QDs 的光稳定性和化性。根据核壳结构半导体材料的带隙排布不同，QDs 可大致分为三种：Ⅰ-型，反Ⅰ-型，如图 1.2.2 所示。
图 1.2.1 常用量子点的发光波长示意图胶体 QDs 制备过程便捷，生产成本低廉，成膜工艺简单[1-4]。目前人们可以精准地调控 QDs 的形貌及尺寸，提高量子产率。此外，由于 QDs 的特性，我们可以在不改变材料的组分情况下得到不同的发光波长。基于以上的优点，QDs 在光电器件中得到了广泛的研究。1.2.2 量子点的种类随着人们对 QDs 的深入研究和讨论，提出了核壳结构 QDs。核壳结构 QDs是由至少两种半导体材料组成的异质结。这种 QDs 可有效减少 QDs 核的表面陷阱及悬键，抑制非辐射复合，提高 QDs 的发光效率，改善 QDs 的光稳定性和化学稳定性。根据核壳结构半导体材料的带隙排布不同，QDs 可大致分为三种：Ⅰ-型，Ⅱ-型，反Ⅰ-型，如图 1.2.2 所示。
本文编号：3603724
【文章来源】：吉林大学吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：53 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
1LCD，OLED，QLED结构示意图
图 1.2.1 常用量子点的发光波长示意图体 QDs 制备过程便捷，生产成本低廉，成膜工艺简单[1-4]。目前人们可以调控 QDs 的形貌及尺寸，提高量子产率。此外，由于 QDs 的特性，我们不改变材料的组分情况下得到不同的发光波长。基于以上的优点，QDs 在件中得到了广泛的研究。.2 量子点的种类着人们对 QDs 的深入研究和讨论，提出了核壳结构 QDs。核壳结构 QD少两种半导体材料组成的异质结。这种 QDs 可有效减少 QDs 核的表面陷键，抑制非辐射复合，提高 QDs 的发光效率，改善 QDs 的光稳定性和化性。根据核壳结构半导体材料的带隙排布不同，QDs 可大致分为三种：Ⅰ-型，反Ⅰ-型，如图 1.2.2 所示。
图 1.2.1 常用量子点的发光波长示意图胶体 QDs 制备过程便捷，生产成本低廉，成膜工艺简单[1-4]。目前人们可以精准地调控 QDs 的形貌及尺寸，提高量子产率。此外，由于 QDs 的特性，我们可以在不改变材料的组分情况下得到不同的发光波长。基于以上的优点，QDs 在光电器件中得到了广泛的研究。1.2.2 量子点的种类随着人们对 QDs 的深入研究和讨论，提出了核壳结构 QDs。核壳结构 QDs是由至少两种半导体材料组成的异质结。这种 QDs 可有效减少 QDs 核的表面陷阱及悬键，抑制非辐射复合，提高 QDs 的发光效率，改善 QDs 的光稳定性和化学稳定性。根据核壳结构半导体材料的带隙排布不同，QDs 可大致分为三种：Ⅰ-型，Ⅱ-型，反Ⅰ-型，如图 1.2.2 所示。
本文编号：3603724
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