CaWO 4 和ZnZrNb 2 O 8 介电陶瓷的掺杂改性与性能研究

发布时间：2022-01-26 17:26

　　近年来,电子元件随着科技发展和市场需求不断向片式化、小型化、多功能化等趋势发展,介电材料性能领域获得了社会的广泛关注。由于介电材料的广泛应用,有关于介电材料的介电参数的研究也日益增多。探究介电常数与微观结构的关系成为近些年研究介电材料的重点。由于CaWO₄和ZnZrNb₂O₈是介电性能优秀的介电材料,尤其钨酸钙陶瓷,具有品质因数高,谐振频率温度系数稳定,烧结温度低而广泛应用。本文首先讨论了制备CaWO₄以及ZnZrNb₂O₈的纯相介电陶瓷,通过选择不同分散剂,不同烧结温度以确定最佳工艺路线。在接下来的两章中着重讨论了CaWO₄和ZnZrNb₂O₈对于不同离子掺杂的性能分析。我们对CaWO₄的A位的Ca²⁺离子进行了Sr²⁺离子和Ba²⁺离子的取代,对B位的W⁶⁺离子进行了Mo

【文章来源】：天津大学天津市211工程院校985工程院校教育部直属院校

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【学位级别】：硕士

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陶瓷工艺流程

图 3-1 CaWO4在 650℃、700oC、750℃、800℃预烧粉末的 XRD 图像试结果表明，粉末在 650℃存在未反应完全的 WO3，说明在 650℃条和 WO3不能完全反映生成 CaWO4。在 700℃、750℃、800℃预烧条到纯相的钨酸钙。但是预烧温度不宜过高，因为过高的预烧温度会

图 3-2 钨酸钙的密度变化样品在 1000oC、1025oC、1050oC 三个温度点出现严重的吸蓝致密度在这三个测试点很低。说明样品在这三个测试点存在在会严重影响样品性能。所以，只需要测试 1075oC、1100oC、

【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：3610885