PbSe/MoSe 2 异质结制备及其光电性能研究

发布时间：2022-02-13 04:24

　　PbSe作为一种具有直接带隙的窄禁带半导体,在红外探测方面具有重要价值。但是,PbSe薄膜的载流子迁移率偏低,其光电性能因载流子复合作用受到严重影响,虽然,可以通过敏化处理在一定程度上改善其光电性能,但仍然具有很大的局限性。近年来,继石墨烯之后,以MoSe₂为代表的二维硫族化合物半导体受到人们的普遍关注。虽然,MoSe₂和PbSe具有不同的晶体结构,且其晶格常数也存在较大差异,但由于MoSe₂的层间范德华力结合特点,在MoSe₂表面有可能外延生长出高质量的PbSe薄膜,并研制基于PbSe/MoSe₂异质结的光敏二极管,为PbSe薄膜的红外探测应用探索出新的技术路线,为此,本论文开展了以下研究工作:首先,本文采用分子束外延技术制备出了PbSe薄膜,采用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）以及X射线光电子能谱（XPS）对所生长PbSe薄膜进行了表征分析。表征结果显示:所生长薄膜为单一（100）取向,薄膜具有较高的结晶质量。在此基础上,论文进一步研究了敏化处理对所生长PbS... 

【文章来源】：电子科技大学四川省211工程院校985工程院校教育部直属院校

【文章页数】：68 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

光电导探测器结构图

光伏探测器结构图

PbSe的晶体结构

【参考文献】：
期刊论文
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硕士论文
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本文编号：3622674