InP基HBT小信号模型参数直接提取方法

发布时间：2022-02-16 11:07

　　为了精确地表征器件特性,提出了一种直接提取T型异质结双极型晶体管（HBT）小信号模型参数的方法。该方法仅依赖于S参数测试数据,采用精确的闭式方程式直接提取电路元件参数。该方法简单、易于实施。首先使用开路短路测试结构提取焊盘寄生电容和电感的值,然后用截止状态和Z参数的方法提取外部电阻,再去掉这些参数以简化电路模型,本征部分的电路元件采用剥离算法来确定参数值。采用1μm×15μm的InP HBT对该算法的有效性进行验证,结果表明,在0.1～40 GHz频率范围内,模型仿真结果准确地拟合了器件测试结果。 

【文章来源】：半导体技术. 2020,45(08)北大核心

【文章页数】：8 页

【文章目录】：
0 引言
1 小信号模型
2 参数提取
    2.1 寄生焊盘电容的提取
    2.2 寄生电感的提取
    2.3 寄生电阻的提取
    2.4 基极-集电极结外部电容的提取
    2.5 本征参数的提取
3 参数提取结果与分析
4 结论



本文编号：3627855