掺Fe高阻GaN缓冲层特性及其对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件的影响研究

发布时间：2022-02-21 15:14

　　利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上制备了掺Fe高阻Ga N以及Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管（HEMT）结构.对Cp₂Fe流量不同的高阻Ga N特性进行了研究.研究结果表明,Fe杂质在Ga N材料中引入的Fe^3+/2+深受主能级能够补偿背景载流子浓度从而实现高阻,Fe杂质在Ga N材料中引入更多起受主作用的刃位错,也在一定程度上补偿了背景载流子浓度.在一定范围内,Ga N材料方块电阻随Cp₂Fe流量增加而增加,Cp₂Fe流量为100 sccm（1 sccm 1mL min）时,方块电阻增加不再明显;另外增加Cp₂Fe流量也会导致材料质量下降,表面更加粗糙.因此,优选Cp₂Fe流量为75 sccm,相应方块电阻高达×10?/,外延了不同掺Fe层厚度的Al Ga N/Ga N HEMT结构,并制备成器件.HEMT器件均具有良好的夹断以及栅控特性,并且增加掺Fe层厚度使得HEMT器件的击穿电压提高了39.3%,同时对器件的转移特性影响较小. 

【文章来源】：物理学报. 2016,65(01)北大核心EISCICSCD

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
1 引言
2 实验
3 结果与讨论
    3.1 掺杂源Cp2Fe流量对材料特性的影响
    3.2 掺Fe层厚度对HEMT器件的影响
4 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]GaN HEMT欧姆接触模式对电学特性的影响[J]. 朱彦旭,曹伟伟,徐晨,邓叶,邹德恕.  物理学报. 2014(11)
[2]F离子注入新型Al0.25Ga0.75N/GaN HEMT器件耐压分析[J]. 段宝兴,杨银堂,陈敬.  物理学报. 2012(22)



本文编号：3637517