基于以顶层ITO为像素电极设计的产品工艺优化

发布时间：2022-04-28 21:16

　　HADS产品通常使用有机膜材料来减小寄生电容,以实现高像素密度（PPI）显示。本文对如何改善以顶层ITO为像素电极（Pixel Top）设计的有机膜产品的公共电极ITO与数据线间短路（DCS）不良进行了工艺优化研究。首先,通过显微镜、聚焦离子束对HADS有机膜产品DCS不良发生机理进行了分析,进而提出了第一钝化绝缘层刻蚀工序省略、保留第一钝化绝缘层至公共电极与像素电极间第二钝化绝缘层刻蚀时进行"一步刻蚀"的工艺流程变更改善方案。针对新工艺流程验证中TFT栅极过孔处第一钝化绝缘层出现的底切不良,通过调整等离子增强化学气相沉积成膜参数改善第一钝化绝缘层膜质,并选取最优成膜条件进一步调整干法刻蚀参数改善刻蚀形貌,获得了优良的栅极过孔刻蚀坡度角。优化后的"一步刻蚀"工艺进行的TFT基板,其栅极过孔第一钝化绝缘层坡度角小于40°,与栅极绝缘层间无明显刻蚀台阶。量产验证有机膜缺失导致的DCS发生率降为0。通过优化工艺,在降低产品不良率的同时还减少了工艺步骤,提升了产能。 

【文章页数】：8 页

【文章目录】：
1 引言
2 有机膜产品DCS不良介绍
    2.1 DCS不良现象
    2.2 DCS不良机理分析
3 DCS不良改善方案与实验验证
    3.2 刻蚀率匹配调整
    3.3 PVX1刻蚀坡度角改善
4 量产投入验证
5 结论


【参考文献】：
期刊论文
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[4]Al2O3薄层修饰SiNx绝缘层的IGZO-TFTs器件的性能研究[J]. 郭永林,梁续旭,胡守成,穆晓龄,曲加伟,王红波,赵毅.  发光学报. 2015(08)
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博士论文
[1]新型聚合物绝缘材料的设计、制备及其在有机薄膜晶体管上的应用研究[D]. 李尧.吉林大学 2016

硕士论文
[1]PECVD制备光学薄膜均匀性控制技术研究[D]. 刘昊轩.西安工业大学 2014
[2]PECVD制备多层氮化硅减反膜的工艺研究[D]. 欧衍聪.长沙理工大学 2012
[3]TFT栅绝缘层用氮化硅薄膜的研究[D]. 张化福.电子科技大学 2005



本文编号：3649547