SiC晶片双面和单面抛光相结合的化学机械抛光

发布时间：2022-05-08 12:56

　　以碳化硅（SiC）晶片为加工对象,提出了双面化学机械抛光和单面化学机械抛光相结合的抛光方法。先在双面抛光机上对SiC晶片硅面和碳面同时进行化学机械抛光,然后采用单面抛光机对硅面进行化学机械抛光。研究了此方法加工碳化硅晶片的特点,对比分析了采用此方法与传统单面抛光加工晶片的几何参数。采用表面缺陷测试仪和原子力显微镜检测加工晶片的表面形貌。结果表明,双面抛光5 h后,碳面无划痕,表面粗糙度达到0.151 nm,硅面则存在较多浅划痕,表面出现了一些类似台阶的结构;采用单面抛光工艺对硅面抛光1 h后即可获得具有规则排列原子台阶构型、无划痕的表面;与传统的单面抛光工艺相比,此方法加工晶片的几何参数优异,其中总厚度变化（TTV）值小于1.5μm,局部厚度变化（LTV）值小于0.6μm,翘曲度一致性好。 

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
0 引言
1 实验
2 结果与讨论
    2.1 SiC的加工流程分析
    2.2 双面和单面相结合抛光工艺的抛光特性
        2.2.1 双面抛光过程的形貌变化
        2.2.2 双面抛光晶片的表面质量
        2.2.3 双面抛光后的单面CMP
    2.3 双面和单面相结合抛光工艺加工晶片的几何参数
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]氧化剂浓度对4H-SiC化学机械抛光效果的影响[J]. 高飞,李晖,徐永宽.  功能材料. 2016(10)
[2]3英寸SiC衬底无架行星式双面抛光运动学分析[J]. 张鹏,冯显英,杨静芳.  功能材料. 2015(18)



本文编号：3651705