氮气体积分数对ITO上制备InN薄膜物理特性的影响
发布时间：2022-08-04 13:56
采用磁控溅射法在氧化铟锡（ITO）导电玻璃衬底上制备InN薄膜,研究了氮气体积分数对InN薄膜晶体结构、表面形貌和光电特性的影响。X射线衍射测试结果表明,所制备的InN薄膜均为六方纤锌矿结构,且随着氮气体积分数的增加,InN薄膜由沿（101）面择优生长逐渐变为沿（002）面择优生长。原子力显微镜结果表明,随着氮气体积分数的增加,InN薄膜表面粗糙度逐渐减小。此外,通过光致发光谱和光学吸收谱测得氮气体积分数为100%时制备的InN薄膜禁带宽度分别为1.45 eV和1.47 eV。霍尔测试结果表明,InN薄膜均呈现n型导电特性,且随着氮气体积分数的增加,其迁移率由4.57 cm~2·V-1·s-1增加至12.2 cm~2·V-1·s-1,载流子浓度由8.498×1021 cm-3减小至2.041×1021 cm-3,电阻率由16.08×10-4Ω·cm减小至2.118×10-4
【文章页数】：6 页
【文章目录】：
0 引言
1 实验
2 结果与讨论
3 结论
【参考文献】：
期刊论文
[1]磁控溅射法制备InN薄膜的可控生长及表征[J]. 王箫扬,张雄,杨延宁,贺琳,张富春,张水利,李小敏. 人工晶体学报. 2018(06)
[2]采用磁控溅射法在Si（100）生长InN薄膜及其禁带宽度与拉曼的测试（英文）[J]. 王雪文,李婷婷,苏星星,吴朝科,翟春雪,胡峰,张志勇,赵武. 稀有金属材料与工程. 2018(01)
[3]InN纳米薄膜制备及其结构与带隙分析[J]. 王金颖,王炫力,袁浩然,姚成宝,孙文军. 哈尔滨师范大学自然科学学报. 2015(03)
[4]氧对磁控溅射制备InN薄膜带隙的影响[J]. 石相军,汪健,朱洁,侯祥胡. 功能材料与器件学报. 2012(05)
[5]Different temperature dependence of carrier transport properties between AlxGa1-xN/InyGa1-yN/GaN and AlxGa1-xN/GaN heterostructures[J]. 宋杰,许福军,黄呈橙,林芳,王新强,杨志坚,沈波. Chinese Physics B. 2011(05)
[6]半导体氮化铟（InN）的电学性质[J]. 潘葳,沈文忠,小川博司,郭其新. 物理学进展. 2004(02)
博士论文
[1]InN薄膜的MBE法生长及其NiO组合异质结器件研究[D]. 赵洋.吉林大学 2016
本文编号：3669665
【文章页数】：6 页
【文章目录】：
0 引言
1 实验
2 结果与讨论
3 结论
【参考文献】：
期刊论文
[1]磁控溅射法制备InN薄膜的可控生长及表征[J]. 王箫扬,张雄,杨延宁,贺琳,张富春,张水利,李小敏. 人工晶体学报. 2018(06)
[2]采用磁控溅射法在Si（100）生长InN薄膜及其禁带宽度与拉曼的测试（英文）[J]. 王雪文,李婷婷,苏星星,吴朝科,翟春雪,胡峰,张志勇,赵武. 稀有金属材料与工程. 2018(01)
[3]InN纳米薄膜制备及其结构与带隙分析[J]. 王金颖,王炫力,袁浩然,姚成宝,孙文军. 哈尔滨师范大学自然科学学报. 2015(03)
[4]氧对磁控溅射制备InN薄膜带隙的影响[J]. 石相军,汪健,朱洁,侯祥胡. 功能材料与器件学报. 2012(05)
[5]Different temperature dependence of carrier transport properties between AlxGa1-xN/InyGa1-yN/GaN and AlxGa1-xN/GaN heterostructures[J]. 宋杰,许福军,黄呈橙,林芳,王新强,杨志坚,沈波. Chinese Physics B. 2011(05)
[6]半导体氮化铟（InN）的电学性质[J]. 潘葳,沈文忠,小川博司,郭其新. 物理学进展. 2004(02)
博士论文
[1]InN薄膜的MBE法生长及其NiO组合异质结器件研究[D]. 赵洋.吉林大学 2016
本文编号：3669665
本文链接：https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/3669665.html
