肖特基型β-Ga 2 O 3 日盲紫外光电探测器

发布时间：2022-08-09 19:52

　　本文制备并研究了肖特基型β-Ga₂O₃日盲紫外光电探测器.结果表明:通过脉冲激光沉积外延生长的β-Ga₂O₃的（-201）晶面X射线衍射峰半高宽仅为36 arcsec,表现出了高的晶体质量;光暗条件下的I-V曲线显示所制备的器件具有明显的肖特基整流特性,在-5V偏压下暗电流保持在0.1nA量级,正向导通电压为1.5V;光电流谱显示器件在240nm处存在显著的峰值响应,并在260nm左右呈现陡峭的截止边,日盲紫外的带内带外抑制比达到1000.同时,也研究了不同掺杂对Ga₂O₃晶体质量的影响. 

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【文章目录】：
1 引言
2 实验
3 结果与讨论
4 结论



本文编号：3673185