埋栅型SIT和VDMOS的单粒子烧毁效应对比研究

发布时间：2022-10-21 13:14

　　对埋栅型静电感应晶体管（SIT）和垂直双扩散MOSFET（VDMOS）的抗单粒子烧毁（SEB）能力进行了仿真对比研究。利用Medici软件,仿真得到两种器件发生SEB效应前后的漏极电流响应和发生单粒子烧毁效应的临界漏极偏压。仿真结果表明,SIT与VDMOS两种器件常态击穿分别为580 V和660 V,在栅极关断电压为-10 V下,SIT的单粒子烧毁效应临界漏极电压为440 V,远高于VDMOS关断时230 V的临界漏极电压;SIT发生SEB效应时的漏极电流数量级为10^-3A/μm,而VDMOS发生SEB效应时的漏极电流数量级为10^-4A/μm,SIT在抗SEB效应方面比VDMOS具有更大的优势。同类研究少见文献报道。对埋栅SIT样品进行了试制,样品击穿电压为530 V。 

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【文章目录】：
0 引 言
1 单粒子烧毁效应模拟
    1.1 VDMOS的SEB失效机理
    1.2 SIT结构
    1.3 SEB模型分析
2 仿真分析
3 结 论


【参考文献】：
期刊论文
[1]4H-SiC和6H-SiC功率VDMOSFET的单粒子烧毁效应[J]. 刘忠永,蔡理,刘小强,刘保军,崔焕卿,杨晓阔.  微纳电子技术. 2017(02)
[2]复杂数字电路中的单粒子效应建模综述[J]. 吴驰,毕津顺,滕瑞,解冰清,韩郑生,罗家俊,郭刚,刘杰.  微电子学. 2016(01)
[3]n沟VDMOSFET单粒子烧毁的二维数值模拟[J]. 郭红霞,陈雨生,张义门,王伟,赵金龙,周辉.  核电子学与探测技术. 2004(06)
[4]单粒子效应对卫星空间运行可靠性影响[J]. 王长河.  半导体情报. 1998(01)
[5]静电感应晶体管（SIT）作用机制的理论研究[J]. 李思渊,孙卓,刘肃.  电力电子技术. 1994(02)

硕士论文
[1]静电感应晶体管抗辐射特性的研究与提高[D]. 徐丽萍.兰州交通大学 2016
[2]静电感应晶体管的研究与仿真[D]. 王富强.兰州交通大学 2015



本文编号：3695717