优化HAD结构提高CCD紫外谱段量子效率的研究

发布时间：2022-10-28 21:44

　　硅基正照式CCD探测器的紫外谱段响应普遍较低。针对如何提高正照式CCD在340 nm～390 nm谱段的紫外光探测性能进行了研究。在研究中,对正照式紫外线阵CCD进行了透射膜层优化,达到了光敏区表面对紫外波段光减少反射的效果;对CCD光敏区的结构进行了设计优化,达到光敏区降低界面态干扰的目的;对HAD结构的结构参数进行了优化,获得了极浅结的HAD结构。通过减反射膜、光敏区结构、HAD结构等三个方面的优化,较大程度地提升了正照式CCD紫外谱段的相互作用量子效率,从而提升了CCD对紫外谱光探测的量子效率。研究结果表明,正照式紫外线阵CCD探测器在300 nm～400 nm谱段范围内平均量子效率达到46.13%,其中340 nm～390 nm谱段范围内平均量子效率从8.6%提高到了47.48%。 

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【文章目录】：
引言
1 原理分析
    1.1 减反射膜优化
    1.2 提高相互作用量子效率
2 试验
    2.1 光敏区无HAD结构CCD探测器
    2.2 有HAD结构的CCD探测器
    2.3 HAD优化试验
        2.3.1 优化试验1——刻蚀氮化硅后HAD结构离子注入
        2.3.2 优化试验2——优化刻蚀氮化硅工艺后HAD结构离子注入，再刻蚀表层Si O2
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]线阵CCD在工业检测中的应用[J]. 孙亚英.  电子技术与软件工程. 2014(16)



本文编号：3697339