基于60nmT型栅f T ＆f max 为170＆210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件（英文）
发布时间：2022-10-29 15:17
基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率（fT）和最大振荡频率(fmax)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）.基于再生长n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距（Lsd）缩小至600nm.此外,采用自对准栅工艺制备60nmT型栅.由于器件尺寸的缩小,在Vgs=1V时,器件最大饱和电流（Ids）达到1.89A/mm,峰值跨导达到462mS/mm.根据小信号测试结果,外推得到器件的fT和fmax分别为170GHz和210GHz,该频率特性为国内InAlN/GaNHFETs器件频率的最高值.
【文章页数】：5 页
【文章目录】：
Introduction
1 Experiments
2 Results and discussion
3 Conclusions
【参考文献】：
期刊论文
[1]70-nm-gated InAlN/GaN HEMTs grown on SiC substrate with fT/fmax＞160GHz[J]. 韩婷婷,敦少博,吕元杰,顾国栋,宋旭波,王元刚,徐鹏,冯志红. Journal of Semiconductors. 2016(02)
本文编号：3697927
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Introduction
1 Experiments
2 Results and discussion
3 Conclusions
【参考文献】：
期刊论文
[1]70-nm-gated InAlN/GaN HEMTs grown on SiC substrate with fT/fmax＞160GHz[J]. 韩婷婷,敦少博,吕元杰,顾国栋,宋旭波,王元刚,徐鹏,冯志红. Journal of Semiconductors. 2016(02)
本文编号：3697927
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