文献计量视角下半导体材料SiC和GaN研究态势

发布时间：2022-11-05 07:04

　　从文献计量角度出发,整理了国内外2000～2018年间第三代半导体材料SiC、GaN的科技论文,并从整体发展轨迹与研究内容两方面,对SiC、GaN的时间分布、研究力量、研究热点等内容进行统计与分析,探讨了该领域的总体发展态势以及我国目前的科研水平。运用研究方向聚类与突发性关键词检测的方法,发现和解释该领域发展的内在变化规律,尤其是在不同发展阶段的不同研究重点,并用该规律对未来研究热点进行预测,可为该领域的研究与布局提供参考。 

【文章页数】：7 页

【文章目录】：
0 引 言
1 研究方法
2 结果与分析
    2.1 整体发展轨迹
        2.1.1 时间分析
        2.1.2 研究力量分析
    2.2 研究内容分析
        2.2.1 研究热点演进
        2.2.2 研究方向聚类
        2.2.3 未来热点推测
            1) 2000～2005年:
            2) 2005～2010年:
            3) 2010～2018年:
3 结 论


【参考文献】：
期刊论文
[1]940nm大功率半导体激光器后工艺优化[J]. 王海阔,李建军,王元诚,王梦欢,袁泽旭.  半导体光电. 2018(05)
[2]基于文献计量的新型电力电子器件研究态势分析[J]. 林兴浩,尚学峰.  世界科技研究与发展. 2018(04)
[3]第三代半导体带来的机遇与挑战[J]. 林佳,黄浩生.  集成电路应用. 2017(12)
[4]基于文献计量的氮化镓照明材料研究态势分析[J]. 林兴浩,张百尚,陈宇山.  世界科技研究与发展. 2017(05)
[5]第三代半导体产业概况剖析[J]. 李春,邓君楷.  集成电路应用. 2017(02)
[6]基于文献计量的光电子器件研究发展态势分析[J]. 房俊民,王立娜,唐川,张娟,田倩飞,徐婧.  科学观察. 2016(03)
[7]氮化镓材料专利计量分析及启示[J]. 陈欣,董璐,陈枢舒,郑菲.  新材料产业. 2015(10)
[8]基于文献计量的新兴趋势分析——以生物材料为例[J]. 黄鲁成,王静静,李欣,吴菲菲,王立章.  情报杂志. 2015(07)
[9]结合社会化网络的文献综合计量模型[J]. 翟晓芳,刘全明,程耀东,李海波.  计算机工程. 2016(06)
[10]CiteSpace知识图谱的方法论功能[J]. 陈悦,陈超美,刘则渊,胡志刚,王贤文.  科学学研究. 2015(02)



本文编号：3702132