基于面向高世代TFT-LCD线的Cu和COA工艺及其对IGZO TFT特性影响的研究
发布时间：2022-12-04 11:07
随着高世代（＞G8.5）TFT-LCD的建设,未来产品趋势大尺寸、高分辨率及高刷新频率趋势愈加明显,其所需Cu（铜）和COA（Color Filter On Array:将彩色滤光光阻制作在阵列基板上的技术）更加明确,以及未来IGZO（铟镓锌氧化物）的引入成为关键。本论文着重研究基于高世代TFT-LCD线,大尺寸高分辨率及高刷新频率的产品,要求电容电阻延时（RC delay）要更好,因而Cu布线工艺的成为必须。本论文主要从Cu制作工艺上研究得出:随着Cu溅射的功率升高,晶胞大小增大,电阻率减小,此部分在经验上会对大板沉积均一性造成影响;Cu溅射温度的升高,主要影响Cu表明粗糙度,此部分在生产过程中容易形成尖刺（Hillock）,造成产品静电炸伤（ESD）高发;Cu溅射压力对Cu晶胞、Cu表明粗糙度、Cu电阻率的影响弱相关。同时研究了 Cu翘曲的影响度:成膜温度＞膜厚＞玻璃弹性模量。对于Cu工艺的黏附层和阻挡层的厚度选择,黏附层金属Mo趋向偏薄,正常150A厚度即可;阻挡层Mo厚度300A,随着制程效果,可以适量增减。通过干法处理减少CuNx影响,以及通过不使用C12而采用NF3气体蚀刻...
【文章页数】：75 页
【学位级别】：硕士
【文章目录】：
摘要
ABSTRACT
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 液晶简史和中国TFT-LCD发展历程
1.2.1 液晶简史
1.2.2 世界TFT-LC液晶面板发展简表
G8.5)"> 1.2.3 高世代面板线产品主要特点(>G8.5)
1.3 TFT-LCD市场状况和发展趋势
1.3.1 TFT-LC市场状况及趋势
1.3.2 TFT-LCD各个面板供应商技术特点
1.3.3 基于高世代TFT-LCD产品特点及制程工艺要求
1.4 本论文的工作
第二章 薄膜晶体管关键特性参数
2.1 薄膜晶体管的发展历程
2.2 薄膜晶体管结构分类
2.3 薄膜晶体管的基本原理
2.4 薄膜晶体管重要参数介绍
2.5 薄膜晶体管在LCD的定位
2.6 本章小结
第三章 基于高世代线CU工艺制作
3.1 引言
3.2 基于高世代线CU产品工艺流程(4MASK)
3.3 基于高世代线CU布线TFT产品制备
3.3.1 基于高世代线的TFT四道光罩(4Mask)工艺流程
3.3.2 基于高世代线的Cu+COA产品制备
3.4 CU溅射工艺参数影响
3.4.1 Cu溅射工艺对Cu性质参数的影响
3.4.2 Cu翘曲的影响
3.4.3 粘合层和阻挡层Mo的厚度选取
3.5 Cu湿法蚀刻工艺参数影响
3.5.1 Cu蚀刻药液
3.5.2 电化学腐蚀
3.5.3 Cu蚀刻形貌管理
3.6 干法蚀刻工艺对CU制程工艺的影响
3.6.1 干法蚀刻工艺对Cu制程工艺的改善
3.6.2 干法蚀刻中对于Cu蚀刻副产物的改善
3.7 本章小结
第四章 基于高世代线COA工艺制作
4.1 引言
4.2 基于高世代线COA产品工艺流程
4.2.1 传统工艺流程和COA流程比较
4.2.2 氮化硅工艺和PFA工艺比较
4.3 基于高世代线COA产品制程特性影响
4.3.1 COA产品堆叠高度的影响的关键参数
4.3.2 曝光参数对形貌角度(Taper)的影响
4.4 COA产品设计规范
4.4.1 RGB色阻开孔设计
4.4.2 避免RGB空气气泡的设计
4.5 本章小结
第五章 引入CU和COA工艺对BCE IGZO TFT特性影响
5.1 引言
5.2 非晶IGZO TFT的主要性能参数
5.2.1 关键TFT架构
5.2.2 IGZO晶体管的优点
5.3 基于Cu和COA工艺的BCE IGZO TFT样品的制备
5.4 Cu和COA工艺制程对BCE IGZO TFT特性参数影响
5.4.1 BCE IGZO TFT采用Cu制程之必要性
5.4.2 RGB烘烤对BCE IGZO TFT特性参数影响
5.4.3 色阻覆盖对BC EIGZO TFT特性参数影响
5.5 本章小结
总结与展望
6.1 总结
6.2 展望
参考文献
致谢
附件
【参考文献】：
期刊论文
[1]半导体器件微缩化 铜导线与Low-K为关键所在[J]. 黄茂业. 电子测试. 2004(10)
博士论文
[1]铜硅体系的扩散和界面反应[D]. 曹博.兰州大学 2008
硕士论文
[1]Cu/Si（100）体系的扩散和界面反应[D]. 贾艳辉.兰州大学 2009
本文编号：3708140
【文章页数】：75 页
【学位级别】：硕士
【文章目录】：
摘要
ABSTRACT
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 液晶简史和中国TFT-LCD发展历程
1.2.1 液晶简史
1.2.2 世界TFT-LC液晶面板发展简表
G8.5)"> 1.2.3 高世代面板线产品主要特点(>G8.5)
1.3 TFT-LCD市场状况和发展趋势
1.3.1 TFT-LC市场状况及趋势
1.3.2 TFT-LCD各个面板供应商技术特点
1.3.3 基于高世代TFT-LCD产品特点及制程工艺要求
1.4 本论文的工作
第二章 薄膜晶体管关键特性参数
2.1 薄膜晶体管的发展历程
2.2 薄膜晶体管结构分类
2.3 薄膜晶体管的基本原理
2.4 薄膜晶体管重要参数介绍
2.5 薄膜晶体管在LCD的定位
2.6 本章小结
第三章 基于高世代线CU工艺制作
3.1 引言
3.2 基于高世代线CU产品工艺流程(4MASK)
3.3 基于高世代线CU布线TFT产品制备
3.3.1 基于高世代线的TFT四道光罩(4Mask)工艺流程
3.3.2 基于高世代线的Cu+COA产品制备
3.4 CU溅射工艺参数影响
3.4.1 Cu溅射工艺对Cu性质参数的影响
3.4.2 Cu翘曲的影响
3.4.3 粘合层和阻挡层Mo的厚度选取
3.5 Cu湿法蚀刻工艺参数影响
3.5.1 Cu蚀刻药液
3.5.2 电化学腐蚀
3.5.3 Cu蚀刻形貌管理
3.6 干法蚀刻工艺对CU制程工艺的影响
3.6.1 干法蚀刻工艺对Cu制程工艺的改善
3.6.2 干法蚀刻中对于Cu蚀刻副产物的改善
3.7 本章小结
第四章 基于高世代线COA工艺制作
4.1 引言
4.2 基于高世代线COA产品工艺流程
4.2.1 传统工艺流程和COA流程比较
4.2.2 氮化硅工艺和PFA工艺比较
4.3 基于高世代线COA产品制程特性影响
4.3.1 COA产品堆叠高度的影响的关键参数
4.3.2 曝光参数对形貌角度(Taper)的影响
4.4 COA产品设计规范
4.4.1 RGB色阻开孔设计
4.4.2 避免RGB空气气泡的设计
4.5 本章小结
第五章 引入CU和COA工艺对BCE IGZO TFT特性影响
5.1 引言
5.2 非晶IGZO TFT的主要性能参数
5.2.1 关键TFT架构
5.2.2 IGZO晶体管的优点
5.3 基于Cu和COA工艺的BCE IGZO TFT样品的制备
5.4 Cu和COA工艺制程对BCE IGZO TFT特性参数影响
5.4.1 BCE IGZO TFT采用Cu制程之必要性
5.4.2 RGB烘烤对BCE IGZO TFT特性参数影响
5.4.3 色阻覆盖对BC EIGZO TFT特性参数影响
5.5 本章小结
总结与展望
6.1 总结
6.2 展望
参考文献
致谢
附件
【参考文献】：
期刊论文
[1]半导体器件微缩化 铜导线与Low-K为关键所在[J]. 黄茂业. 电子测试. 2004(10)
博士论文
[1]铜硅体系的扩散和界面反应[D]. 曹博.兰州大学 2008
硕士论文
[1]Cu/Si（100）体系的扩散和界面反应[D]. 贾艳辉.兰州大学 2009
本文编号：3708140
本文链接：https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/3708140.html
