雾化施液CMP中铌酸锂晶片抛光液优化及抛光效果

发布时间：2022-12-10 17:25

　　采用超声波精细雾化施液对铌酸锂晶片进行了化学机械抛光（CMP）实验,研究抛光液复配参数（二氧化硅磨料含量、氧化剂含量、络合剂含量、表面活性剂含量和pH值）对抛光效果的影响,以材料去除速率和表面粗糙度为评价指标,根据正交试验结果得到最优组分的抛光液,分析铌酸锂的去除机理,并与传统抛光进行对比。结果表明:二氧化硅磨料和氧化剂对铌酸锂晶片抛光效果影响显著。当二氧化硅磨料质量分数为20%、过氧化氢质量分数为2.5%、柠檬酸质量分数为1.6%、pH值为11和聚乙烯吡咯烷酮质量分数为0.4%时,材料去除速率为401.52 nm/min,表面粗糙度为1.04 nm。在相同的抛光工艺参数下,传统CMP的材料去除速率为427.68 nm/min,表面粗糙度为1.12 nm;超声精细雾化抛光效果与传统CMP效果相近,但雾化施液方式的抛光液用量低,是传统CMP的1/7。 

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【文章目录】：
0 引言
1 实验
    1.1 实验材料及方法
    1.2 试验设计
2 结果与讨论
    2.1 试验结果
    2.2 雾化CMP材料去除机理分析
    2.3 试验结果及分析
    2.4 确定抛光液最优组分
    2.5 抛光对比实验
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：3717196