GaN功率器件片内微流热管理技术研究进展

发布时间：2022-12-21 22:50

　　GaN器件大功率、高集成度的发展受限于热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和寿命衰减,使GaN器件的高功率性能优势远未得到发挥,片内微流热管理技术是解决热瓶颈的重要途径。针对上述问题,详细论述了GaN器件热瓶颈的基础问题和片内微流热管理的重要性,并对近年来国际正在开展的片内微流散热技术研究情况进行系统分析和评述,揭示了微流体与GaN器件片内近结集成的各类设计方法、工艺开发途径和面临的技术难点,阐述了GaN器件片内微流热管理技术的现状和发展方向。 

【文章页数】：7 页

【文章目录】：
1 GaN HEMT器件热积累瓶颈
2 片内微流散热技术的应用意义
3 GaN器件片内微流散热技术现状
    3.1 SiC结构片内微流散热技术
    3.2 金刚石结构片内微流散热技术
    3.3 复合衬底结构片内微流散热技术
4 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]GaN功率器件芯片级热管理技术研究进展[J]. 郭怀新,孔月婵,韩平,陈堂胜.  固体电子学研究与进展. 2018(05)



本文编号：3722925