量子点发光二极管的金属氧化物材料及结构优化研究
发布时间:2023-01-09 14:35
胶体量子点具有能带可调、光谱半峰宽窄、发光波长覆盖广、荧光量子产率高等优异特性,在太阳能电池、光电二极管、发光二极管和生物标记、生物检测中等领域得到了广泛应用。基于量子点半导体材料的量子点发光二极管,继承了量子点材料独特的光电特性,具有高色纯度、高分辨率、色域广、发光在全波段可调等优异性能,是继LCD、OLED后最具潜力的显示和照明技术。论文以提高量子点发光二极管发光效率为目的,分别从电子传输层的优化,过渡金属氧化物作空穴注入层,光提取技术三个方面展开了研究。论文的主要工作和创新如下:(1)开发了一种由氧化锌和氧化锌镁纳米颗粒组成的新型混合电子传输层,将量子点发光二极管的外量子效率提高到了13.5%,分别是采用纯氧化锌和掺镁氧化锌纳米颗粒器件的1.29倍和1.33倍,亮度也增加到了22100 cd/m~2。经测量单电子器件的电流密度-电压关系和瞬态荧光光谱,发现混合型电子传输层的性能优于传统的氧化锌和掺镁氧化锌纳米颗粒层。(2)成功使用低温溶液法制备了氧化钼纳米颗粒,并将其作为量子点发光二极管的空穴注入层。经实验结果表明,氧化钼薄膜在100℃的退火温度下,表现出与poly-TPD相匹配...
【文章页数】:70 页
【学位级别】:硕士
【文章目录】:
摘要
Abstract
第一章 绪论
1.1 量子点的特性及分类
1.1.1 量子点的发光原理
1.1.2 量子点的发光特性
1.1.3 量子点的分类
1.2 量子点发光二极管(QLED)
1.2.1 QLED的发展历程
1.2.2 QLED的研究现状
1.2.3 金属氧化物在QLED中的应用
1.3 目前存在的问题
1.4 本论文的研究思路和主要内容
1.4.1 本论文的研究思路
1.4.2 本论文的主要内容
第二章 QLED的结构、发光机理及性能表征
2.1 QLED的发光机理
2.1.1 QLED的基本结构
2.1.2 QLED发光的基本原理
2.1.3 QLED的电荷传输与复合机制
2.2 QLED载流子传输层材料
2.2.1 HTL材料
2.2.2 HIL材料
2.2.3 ETL材料
2.3 QLED的性能特征参数
2.4 QLED的测试和表征方法
第三章 QLED电子传输层的制备及其优化
3.1 引言
3.2 实验
3.2.1 主要实验材料
3.2.2 实验仪器设备
3.2.3 ZnO和ZnMgO纳米颗粒的合成
3.2.4 QLED的制备
3.3 实验结果与讨论
3.3.1 ZnO和ZnMgO纳米颗粒的表征
3.3.2 薄膜性能研究
3.3.3 器件结构示意图
3.3.4 QLED器件性能研究
3.3.5 结果分析
3.4 总结
第四章 低温溶液法制备氧化钼及其在QLED中的应用
4.1 引言
4.2 实验
4.2.1 主要实验材料
4.2.2 低温溶液法合成氧化钼
4.2.3 QLED的制备
4.3 实验结果与讨论
4.3.1 氧化钼薄膜
4.3.2 CdSe/CdS/ZnS量子点
4.3.3 氧化钼作为空穴传输层的QLED器件
4.4 总结
第五章 利用表面粗化提高QLED的提取效率
5.1 引言
5.2 实验
5.2.0 主要实验材料
5.2.1 玻璃刻蚀
5.2.2 QLED制备
5.3 实验结果与讨论
5.3.1 对ITO玻璃基地表征
5.3.2 QLED器件性能研究
5.4 总结
第六章 结论及展望
6.1 结论
6.2 展望
参考文献
研究生期间所发表的论文及专利
致谢
【参考文献】:
期刊论文
[1]量子点发光显示器件[J]. Greg Moeller,Seth Coe-Sullivan,娄朝刚. 现代显示. 2006(12)
本文编号:3729354
【文章页数】:70 页
【学位级别】:硕士
【文章目录】:
摘要
Abstract
第一章 绪论
1.1 量子点的特性及分类
1.1.1 量子点的发光原理
1.1.2 量子点的发光特性
1.1.3 量子点的分类
1.2 量子点发光二极管(QLED)
1.2.1 QLED的发展历程
1.2.2 QLED的研究现状
1.2.3 金属氧化物在QLED中的应用
1.3 目前存在的问题
1.4 本论文的研究思路和主要内容
1.4.1 本论文的研究思路
1.4.2 本论文的主要内容
第二章 QLED的结构、发光机理及性能表征
2.1 QLED的发光机理
2.1.1 QLED的基本结构
2.1.2 QLED发光的基本原理
2.1.3 QLED的电荷传输与复合机制
2.2 QLED载流子传输层材料
2.2.1 HTL材料
2.2.2 HIL材料
2.2.3 ETL材料
2.3 QLED的性能特征参数
2.4 QLED的测试和表征方法
第三章 QLED电子传输层的制备及其优化
3.1 引言
3.2 实验
3.2.1 主要实验材料
3.2.2 实验仪器设备
3.2.3 ZnO和ZnMgO纳米颗粒的合成
3.2.4 QLED的制备
3.3 实验结果与讨论
3.3.1 ZnO和ZnMgO纳米颗粒的表征
3.3.2 薄膜性能研究
3.3.3 器件结构示意图
3.3.4 QLED器件性能研究
3.3.5 结果分析
3.4 总结
第四章 低温溶液法制备氧化钼及其在QLED中的应用
4.1 引言
4.2 实验
4.2.1 主要实验材料
4.2.2 低温溶液法合成氧化钼
4.2.3 QLED的制备
4.3 实验结果与讨论
4.3.1 氧化钼薄膜
4.3.2 CdSe/CdS/ZnS量子点
4.3.3 氧化钼作为空穴传输层的QLED器件
4.4 总结
第五章 利用表面粗化提高QLED的提取效率
5.1 引言
5.2 实验
5.2.0 主要实验材料
5.2.1 玻璃刻蚀
5.2.2 QLED制备
5.3 实验结果与讨论
5.3.1 对ITO玻璃基地表征
5.3.2 QLED器件性能研究
5.4 总结
第六章 结论及展望
6.1 结论
6.2 展望
参考文献
研究生期间所发表的论文及专利
致谢
【参考文献】:
期刊论文
[1]量子点发光显示器件[J]. Greg Moeller,Seth Coe-Sullivan,娄朝刚. 现代显示. 2006(12)
本文编号:3729354
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/3729354.html